Fototransistor

Allikas: Vikipeedia
Fototransistori tingmärk

Fototransistor on bipolaartransistor, mille baasi valgustamisel tekib elektrivool, mida sama seadis ka võimendab. Räni-fototransistor on kõige tundlikum infrapunakiirguse piirkonnas, lühemalainelise kiirguse (seega ka nähtava valguse) suunas väheneb tundlikkus kiiresti.

Fototransistor (ruudukujuline ränikiip keskel, baasikontakt vasakul, emitterikontakt all, kollektor ühendatud korposega)

Bipolaartransistori poolläbipaistva baasikihi kaudu siirde piirkonda langev valgus suurendab kollektorsiirde vastuvoolu. See vool toimib ühtlasi baasivooluna, mistõttu resulteeriv kollektorivool suureneb vooluülekandeteguri kordselt. Sellest tulenevalt on fototransistor 50‒200 korda fotodioodist tundlikum. Et aga vastavalt kasvab ümberlülituskestus, jääb fototransistori piirsagedus madalamaks. Näiteks 0,01 mm² suuruse valgustatava pinnaga fototransistoride tundlikkus on 0,1‒0,5 A/lm ja valguse intensiivsuse või spektri muutusele reageerimise kiirus mõnisada mikrosekundit (piirsagedus sadades kilohertsides).

Kiiretoimelisemad on pn-väljatransistori struktuuriga fotodetektorid. Levinud on ka fotodioodist ja MOSFET-transistorist koostatud lülitus.

Fototransistore kasutatakse optronites, kiirgusloendurites ja -detektorites, fotosensorites, pildipunktide lugemisel skaneerimisel ja mujal.

Vaata ka[muuda | muuda lähteteksti]