Adsorptsioon

Allikas: Vikipeedia


Adsorptsioon on aatomite, ioonide, biomolekulide, gaasiliste, vedelate ning lahustunud molekulide adhesioon pinnale.[1]

See protsess tekitab adsorbendile adsorbaadi (molekulid või aatomid, mis akumuleeruvad) kihi. Erineb absorptsioonist selle poolest, et absorptsiooni puhul vedelik imbub või lahustub vedelikus või tahkises.[2] Mõiste sorptsioon hõlmab mõlemat, nii adsorptsiooni kui absorptsiooni. Desorptsioon on adsorptsiooni vastupidine protsess.

Sarnaselt pindpinevusele on adsorptsioon põhjustatud pinnaenergiast. Ainehulgas on aatomid iooniliste, kovalentsete või metalliliste sidemetega seotud teiste sama aine aatomitega. Adsorbendi pindmised aatomid pole täielikult ümbritsetud, mistõttu saavad seonduda adsorbaadiga. Sideme iseloom sõltub osavõtvatest ainetest, adsorptsiooni jaotatakse tavaliselt füüsikaliseks adsorptsiooniks (iseloomulikud nõrgad van der Waalsi jõud) ja kemosorptsiooniks (iseloomulikud kovalentsed sidemed). Füüsikaline adsorptsiooni alla kuuluvad ka elektrostaatiliste jõudude mõjul tekkivad sidemed.[3]

Tuntumad adsorbendid on suure poorsuse ja eripindalaga ained: aktiivsüsi, silikageel, alumogeel, aktiivmuld jm. Adsorptsioon suureneb aine kontsentratsiooni või rõhu kasvades, väheneb temperatuuri tõusmisel ja on võrdeline adsorbendi eripindalaga.

Paljudes looduslikes füüsikalistes, bioloogilistes ja keemilistes süsteemides esineb adsorptsiooni. Leiab laia kasutust tööstuslikult aktiveeritud söe, sünteetiliste vaikude, modifitseeritavate nanopoorsete süsinike mahtuvuse suurendamise ja vee puhastuse puhul. Sorptsiooni hulka kuuluvad protsessid nagu adsorptsioon, ioon-vahetus ja kromatograafia, mille puhul anumas või kolonnis olevate mittelahustuvate osakeste pinnale selektiivselt kantakse osad adsorbaadid. Vähem tuntud on ravimite neuroloogilise mõju pikendamine, mida rakendatakse ravimitööstuses. Adsorptsiooni rakendatakse õhu ja muude gaaside puhastamisel (näiteks gaasimaskis), gaasiliste ja vedelate segude komponentide lahutamisel kromatograafias. Tänu adsorptsioonile püsib hõõrdepindadel õlikelme, kuid selle paksus sõltub hõõrdepinna materjalist, õli viskoossusest ja temperatuurist.

Isotermid[muuda | redigeeri lähteteksti]

Next.svg Pikemalt artiklis Isoterm

Adsorptsiooni kirjeldatakse tavaliselt isotermide kaudu. Isoterm on funktsioon rõhust (gaasi korral) või kontsentratsioonist (vedeliku korral) adsorbandil adsorbeerunud aine hulga koht konstantsel temperatuuril. Adsorbeerunud hulk on peaaegu alati normeeritud adsorbaadi massiga, et saaks erinevaid materjale võrrelda.

Freundlich[muuda | redigeeri lähteteksti]

Esimese matemaatilise isotermi publitseerisid Herbert Freundlich ja F.W.Küster (1894). See on puhtalt empiiriline valem gaasiliste adsorbaatide jaoks.

\frac{x}{m}=kP^{\frac{1}{n}}

{x} on adsorbeerunud hulk, m adsorbendi mass, P adsorbaadi rõhk, ning k ja n on empiirilised konstandid adsorbent-adsorbaat paaride jaoks kindlatel temperatuuridel. Piiramatul rõhu tõstmisel jõuab funktsioon asümptootilise punktini. Konstandid k ja n muutuvad temperatuuri tõustes, peegeldades empiirilisi vaatlusi, kus adsorbeerunud hulk suureneb aeglasemalt ja kõrgemad rõhud on vajalikud pinna küllastamiseks kõrgematel temperatuuridel.

Langmuir[muuda | redigeeri lähteteksti]

1916. aastal publitseeris Irving Langmuir uue isotermi mudeli, mis kirjeldas gaaside adsorbeerumist tahkistele. See on poolempiiriline isoterm, mis on tuletatud pakutud kineetilistest mehhanismidest. See põhineb neljal eeldusel:

  1. Adsorbendi pind on ühtlane ehk kõik adsorptsiooni tsentrid on võrdsed.
  2. Adsorbeerunud molekulid ei interakteeru teineteisega.
  3. Kogu adsorptsioon toimub läbi sama mehhanismi.
  4. Tekib ainult monokiht: adsorbaadi molekulid ei adsorbeeru varem adsorbeerunud molekulidele, ainult vabale pinnale.

Need eeldused on harva tõesed. Pinnal esineb alati defekte, adsorbeerunud molekulid pole ilmtingimata inertsed ja adsorbeerumise mehhanism muutub protseessi käigus, esimene molekul ei adsorbeeru sama mehhanismiga, mis viimane. Viimane nõue on kõige tülikam, sest monokihile adsorbeerub molekule juurde. Selle probleemiga tegeleb BET isoterm suhteliselt lamedate (ilma mikropoorideta) pindade puhul. Sellegipoolest on Langmuiri isoterm esimene valik põhiliste adsorptsiooni mudelite jaoks ja omab palju väljundeid pinnakineetikas ning termodünaamikas.

Langmuir pakkus välja, et adsorptsioon toimub mehhanismiga A_{g} + S \rightleftharpoons AS, kus A on gaasi molekul ja S adsorbeeriv koht. Otsese- ja pöördreaktsiooni konstandid on k ja k−1. Täitumisaste \theta on kaetud adsorptsioonitsentrite osa. Tasakaalulises olekus saame:

K=\frac{k}{k_{-1}}=\frac{\theta}{(1-\theta)P} või \theta=\frac{KP}{1+KP}.

P on gaasi osarõhk või lahuse molaarne kontsentratsioon. Väga madalate rõhkude puhul \theta\approx KP ja kõrgete rõhkude puhul \theta\approx1.

Täitumisastet on eksperimentaalselt raske määrata; adsorbaat on tavaliselt gaas ning adsorbeerunud hulk antakse moolides, grammides või gaasi ruumalana normaaltingimustel (normaaltemperatuur ja -rõhk) ühe grammi adsorbendi kohta. Kui vmon on monokihi moodustamiseks adsorbendil (grammi kohta) vajalik gaasi ruumala (standardtingimustel), siis \theta = \frac{v}{v_\mathrm{mon}} ja me saame sirge võrrandi:

\frac{1}{v}=\frac{1}{Kv_\mathrm{mon}}\frac{1}{P}+\frac{1}{v_\mathrm{mon}}.

Antud võrrandi tõusust ja algordinaadist saame vmon ja K, mis on konstandid iga adsorbent/adsorbaat paari jaoks kindlal temperatuuril. vmon on seotud adsorptsiooni tsentrite arvuga ideaalse gaasi võrrandi kaudu. Kui me eeldame, et adsorptsiooni tsentrite arv on kogu tahkise ala jaotatud adsorbaadi molekulide ristlõigeteks, saame lihtsalt arvutada adsorbendi pindala. Adsorbendi pindala sõltub tema struktuurist: mida enam on poore, seda suurem on pindala, mis mõjutab pindmisi reaktsioone.

Kui mitu erinevat gaasi adsorbeerub pinnale, määratleme \theta_E kui tühjade adsorptsioonitsentrite osa ja saame

\theta_E=\frac{1}{\displaystyle 1+\sum_{i=1}^n K_iP_i}

Ja

\theta_j=\frac{K_jP_j}{\displaystyle 1+\sum_{i=1}^n K_iP_i},

kus i on adsorbeerunud gaas.

BET[muuda | redigeeri lähteteksti]

Tihti tekivad polükihid, mille puhul adsorptsioon toimub juba adsorbeerunud molekulide peale, ja Langmuiri isoterm ei kehti. Aastal 1938 arendasid Stephen Brunauer, Paul Emmett ja Edward Teller isotermi mudeli, mis arvestab selle võimalusega. BET teooriat nimetatakse nende initsiaalide järgi. Nad arendasid Langmuiri mehhanismi järgnevalt:

A(g) + S AS
A(g) + AS A2S
A(g) + A2S A3S jne

Valemi tuletus on keerulisem kui Lagmuiri teooria puhul. Lõpptulemusena saab:

\frac{x}{v(1-x)}=\frac{1}{v_\mathrm{mon}c}+\frac{x(c-1)}{v_\mathrm{mon}c}.

x on adsorbaadi rõhk jagatud aururõhuga kindlal temperatuuril (tavaliselt märgistatud P/P^0), v on adsorbeerunud adsorbaadi ruumala standardtingimustel, vmon on monokihi jaoks vajalik adsorbaadi ruumala standardtingimustel ja c on tasakaalukonstant K korrutatuna adsorbaadi aururõhuga. K kasutasime Langmuiri isotermi puhul. Kõige tähtsam eeldus BET võrrandi tuletamisel on kõikide kihtide, v.a. esimese, adsorptsiooni soojuste võrtsustamine adsorbaadi kondentseerumise soojusega.

Langmuiri isoterm sobib paremini kemosorptsiooni jaoks, BET isoterm sobib paremini füsiosorptsiooni jaoks mikropooriteta pindade puhul.

Kisliuk[muuda | redigeeri lähteteksti]

Teistel juhtudel interakteeruvad juba tahkisele adsorbeerunud gaasi molekulid gaasi faasis olevate gaasi molekulidega. Selle tõttu on tõenäoline uute gaasimolekulide adsorptsioon juba varem adsorbeerunud gaasimolekulide juures. See muudab Langmuiri isotermi modelleerimise jaoks kasutuks. Seda efekti uuris Paul Kisliuk (1922–2008) 1957. aastal süsteemis, kus lämmastik oli adsorbaat ja volfram oli adsorbent. Et kompenseerida substraadi pinnal olevate molekulide juures adsorptsiooni tõenäosust, arendas Kisliuk eelkäija oleku teooria, mille puhul molekulid eelkäija faasis on tahke adsorbendi ja gaasilise adsorbaadi vahel. Sellest faasist adsorbaadi molekulid kas adsorbeeruvad adsorbendile või desorbeeruvad gaasifaasi. Adsorptsiooni tõenäosus eelkäija faasist sõltub adsorbeeruva molekuli kaugusest varem adsorbeerunud molekulidest. Juhul kui eelkäija olekus adsorbaadi molekul on lähedal teistele pinnale adsorbeerunud molekulidele, on tal haakumise tõenäosus, mida iseloomustab konstandi SE suurus, ja ta adsorbeerub eelkäija olekust kiirusega kEC või desorbeerub gaasi faasi kiirusega kES. Kui adsorbaadi molekul läheb eelkäija olekusse kohas, mis on kaugel varem adsorbeerunud molekulidest, siis adsorbeerumise tõenäosust iseloomustab konstandi SD suurus.

Need tegurid on sisse arvestatud konstanti, mida nimetatakse "kleepuvuse koefitsiendiks," kE

k_\mathrm{E}=\frac{S_\mathrm{E}}{k_\mathrm{ES}.S_\mathrm{D}}.

Kuna SD mõjutavad tegurid on arvesse võetud Langmuiri mudelis, siis saab eeldada et SD on adsorptsiooni kiiruse konstant. Kisliuki mudeli kiiruskonstant (R’) on erinev Langmuiri mudeli omast, kuna R’ esindab difusiooni mõju monokihi tekkele ja on proportsionaalne süsteemi difuuse koefitsiendi ruutjuurele. Kisliuki adsorptsiooni isoterm on järgnev:

\frac{d\theta_\mathrm{(t)}}{dt}=\R'(1-\theta)(1+k_\mathrm{E}\theta).

Θ(t) on adsorbaadi poolt kaetud adsorbendi osa ja t on aeg, kui kaua adsorbent on adsorbaadi keskkonnas olnud.

Lahendades funktsioon Θ(t) kohta:

\theta_\mathrm{(t)}=\frac{1-e^{-R'(1+k_\mathrm{E})t}}{1+k_\mathrm{E}e^{-R'(1+k_\mathrm{E})t}}.

Henderson-Kisliuk[muuda | redigeeri lähteteksti]

See adsorptsiooni isoterm arendati välja isemoodustuvate monokihtide (inglise Self Assembling Monolayer ehk SAM) jaoks. SAM molekulid adsorbeeruvad adsorbendile kuni tema pind küllastub. Alguses on süsivesinike ahelad lamedalt adsorbaadi vastu, seda nimetatakse “lamavaks” struktuuriks. Järgneval adsorptsioonil süsivesinike ahelad muudavad asukohta adsorbeeruvate SAM molekulide tioolsete funktsionaalgruppide tõttu. Moodustub uus struktuur, kus kõik SAM molekulid omandavad “püstise” orientatsiooni. Edasisel adsorptsioonil kogu adsorbent küllastub püstises orientatsioonis SAM molekulidega ja adsorptsiooni enam ei toimu.

SAM adsorbaadid on tavaliselt vedelas faasis ja adsorbent on tavaliselt tahkis. Seetõttu omavad tähtsust intermolekulaarsed interaktsioonid ja rakendub Kisliuki adsorptsiooni isoterm. Arengut “lamavast” “püstiseks” uuris Andrew P.Henderson (sündinud 1982) ja teised aastal 2009. Henderson ja teised kasutasid elektrokeemilist impedants-spektroskoopiat, et iseloomustada adsorptsiooni, ja leidsid et lamav ja püstine struktuur omasid erinevaid impedantsi omadusi ning mõlemad arenesid järk-järguliselt. Sellest järeldati neli reeglit:

  1. Adsorbaadi hulk adsorbendi pinnal on võrdne mõlema struktuuriga adsorbaatide summaga adsorbendi pinnal.
  2. Esimese struktuuri teke sõltub vabadest adsorptsiooni tsentritest ja molekulivahelistest interaktsioonidest.
  3. Esimene struktuur kaob teise struktuuri tekkides.
  4. Teise struktuuri tekke kiirus sõltub adsorbaadist, mis on lamavas struktuuris ja molekulivahelistest interaktsioonidest ajahetkel t.

Nende reeglite alusel kasutas Henderson eraldi terme, et kirjeldada esimese struktuuri [Θ1(t)] ja teise struktuuri [Θ2(t)] osalise adsorptsiooni kiirust funktsioonina ajast (t). Mõlemad termid on paika pandud Kisliuki adsorptsiooni isotermi poolt, kus muutujad alaindeksiga 1 on seotud esimese struktuuri tekkega ja indeksiga 2 on seotud teise struktuuri tekkega.

Need termid kombineeriti Hendersoni adsorptsiooni isotermi, mis määrab kogu adsorbaadi monokihi (z(t)) poolt tekitatud normaliseeritud impedantsi avastamissignaali tugevuse funktsioonina Θ1(t), Θ2(t), φ1 and φ2. Isotermi võrrand on järgnev:

z_\mathrm{t}=\theta_\mathrm{1(t)}.[\varphi_\mathrm{1}.(1-\theta_\mathrm{2(t)})+\varphi_\mathrm{2}.\theta_\mathrm{2(t)}].

Kuigi Henderson-Kisliuki adsorptsiooni isotermi kasutati algselt SAM adsorptsiooni puhul, hüpotiseerivad Henderson ja teised, et see adsorptsiooni isoterm sobib potentsiaalselt paljude teiste adsorptsiooni juhtudele, ja et Θ1(t), ning Θ2(t) saab arvutada, kasutades teisi adsorptsiooni isoterme peale Kisliuki mudeli oma.

Adsorptsiooni entalpia[muuda | redigeeri lähteteksti]

Adsorptsiooni konstandid on tasakaalulised konstandid, seega nad alluvad van’t Hoffi võrrandile:

\left( \frac{\partial \ln K}{\partial \frac{1}{T}} \right)_\theta=-\frac{\Delta H}{R}.

Valemist on näha, et K variant on isosteeriline, ehk konstantsel kattumisel. Kui me alustame BET isotermist ja eeldame, et entroopia muutus on sama veeldumisel ja adsorptsioonil, saame \Delta H_\mathrm{ads}=\Delta H_\mathrm{liq}-RT\ln c ehk adsorptsioon on eksotermilisem kui veeldumine.

Adsorbendid[muuda | redigeeri lähteteksti]

Omadused ja üldised nõuded[muuda | redigeeri lähteteksti]

Adsorbendid on tavaliselt sfääriliste graanulite, varraste, valatud detailide või monoliitidena, mille hüdrodünaamilised diameetrid on vahemikus 0,5 kuni 10 mm. Neil peab olema kõrge abrasioonikindlus, kõrge termiline stabiilsus ja väike poori diameeter, mille tulemusena on suurem vaba pind ja tänu sellele suurem eripind adsorptsiooni jaoks. Adsorbent peab omama kindlat poorset struktuuri, mis võimaldab gaaside kiiret transporti.

Põhilised tööstuslikud adsorbendid jaotatakse lähteaine järgi kolme klassi:

  1. Hapnikku sisaldavad ühendid on tüüpiliselt hüdrofiilsed ja polaarsed, nende hulka kuuluvad materjalid nagu näiteks silikageelid ja tseoliidid.
  2. Süsiniku põhised ühendid on tüüpiliselt hüdrofoobsed ja mittepolaarsed, nende hulka kuuluvad materjalid nagu näiteks aktiivsüsi ja grafiit.
  3. Polümeeride põhised materjalid omavad polaarseid või mittepolaarseid funktsionaalseid rühmi poorses polümeri maatriksis.

Silikageel[muuda | redigeeri lähteteksti]

Next.svg Pikemalt artiklis Silikageel

Silikageel on keemiliselt inertne, atoksiline, polaarne ja ruumiliselt stabiilne (< 400 °C) amorfne SiO2 vorm. Toodetakse naatriumsilikaadi ja äädikhappe vahelises reaktsioonis, peale mida rakendatakse järeltöötlusprotsesse, näiteks vanandamist, hapendamist jne. Tänu järeltöötlusele saadakse erineva jaotusega poorisuurusi.

Ränidioksiidi kasutatakse töödeldava gaasi (hapnik, maagaas) kuivatamiseks ja raskete (polaarsete) süsivesinike adsorptsiooniks maagaasist.

Tseoliidid[muuda | redigeeri lähteteksti]

Next.svg Pikemalt artiklis Tseoliidid

Tseoliidid on looduslikud või tööstuslikud aluminosilikaadid, neil on korduv pooride võrgustik ja nad vabastavad vett kõrgel temperatuuril. Tseoliidid on iseloomu poolest polaarsed.

Neid valmistatakse autoklaavis naatriumaluminosilikaatide või teiste ränidioksiidi allikate hüdrotermilisel sünteesil, millele järgneb ioon-vahetus kindlate katioonidega (Na+, Li+, Ca2+, K+, NH4+). Tseoliidi võrestiku kanali diameeter on 2 kuni 9 Å (200 kuni 900 pm). Ioonvahetusele järgneb kristalli kuivatamine, saadust saab sideainega granuliseerides töödelda makropooridega graanuliteks.

Tseoliite kasutatakse töödeldava gaasi kuivatamiseks, CO2 eemaldamiseks maagaasist, CO eemaldamiseks reformitavast gaasist, gaaside eraldamiseks teineteisest, katalüütiliseks krakkimiseks ning katalüütiliseks sünteesiks ja reformimiseks.

Mittepolaarseid tseoliite sünteesitakse alumiiniumita ränidioksiidi allikatest või dealumineerides alumiiniumi sisaldavaid tseoliite. Dealuminatsioon toimub tseoliidi töötlemisel auruga temperatuuril, mis on tavaliselt kõrgem kui 500 °C. Kõrgel temperatuuril kuumtöötlus lõhub alumiiniumi ja hapniku vahelised sidemed ja alumiiniumi aatom lahkub tseoliidi võrestikust.

Aktiivsüsi[muuda | redigeeri lähteteksti]

Next.svg Pikemalt artiklis Aktiivsüsi

Aktiivsüsi on kõrge poorsusega amorfne tahkis, mis koosneb grafiidi võrestikul mikrokristallidest. Tavaliselt valmistatakse väikeste graanulitena või pulbrina. Ta on mittepolaarne ja odav. Suurim puudus on hapnikuga reageerimine mõõdukatel temperatuuridel (üle 300 °C).

Aktiivsütt saab toota süsinikurikastest materjalidest, mille hulka kuuluvad kivisüsi, turvas, puit või pähklikoored. Tootmine koosneb kahest faasist, karbonisatsioon ja aktivatsioon. Karbonisatsiooni protsess sisaldab kuivatamist ja kuumutamist kõrvalproduktide eemaldamiseks. Protsess lõpetatakse materjali kuumutamisega üle 400 °C hapnikuvabas atmosfääris, mis ei toeta põlemist. Karboniseeritud osakesed aktiveeritakse, lisades oksüdeerivat ühendit (tavaliselt auru või süsinikdioksiidi) kõrgel temperatuuril. See põletab poore blokeerivad struktuurid, mis tekkisid karboniseerimise faasis, tänu millele tekib poorne, kolmedimensionaalne grafiidi kristallvõrestik. Pooride suurus sõltub ajast, mille jooksul oli süsinik oksüdeeruva ainega aktiveerimise faasis. Pikem aeg tähendab suuremaid poore. Bituumenipõhised vedelad süsinikud on kõige populaarsemad nende kõvaduse, abrasioonikindluse, poori suurusjaotuse ja madala hinna tõttu, kuid nende efektiivsust tuleb iga rakenduse jaoks testida, et saada optimaalne toode.

Aktiivsütt kasutatakse orgaaniliste ainete ja mittepolaarsete adsorbaatide adsorptsiooniks, tavaliselt ka jääkgaaside (ja reovee) töötlemiseks. Aktiivsüsi on kõige laialdasemalt kasutatav adsorbent tänu sellele, et tema keemilisi ja füüsikalisi omadusi saab modifitseerida vastavalt vajadusele. Tema kasulikkus tuleneb ka suurest mikropooride (vahel ka mesopooride) hulgast ja sellest tulenevast suurest eripinnast.

Valkude adsorptsioon biomaterjalides[muuda | redigeeri lähteteksti]

Valkude adsorptsioonil on biomaterjalide valdkonnas väga tähtis roll. Biomaterjalide pind on kontaktis bioloogiliste vahendajatega, nagu veri ja seerum, mis on kaetud valkudega. Seega elusrakud ei interakteeru otse biomaterjalide pinnaga, vaid adsorbeerunud valkude kihiga. See valgukiht vahendab interaktsioone biomaterjalide ja rakkude vahel, tõlkides biomaterjalide füüsikalisi ja keemilisi omadusi “bioloogiliseks keeleks”.[4] Rakumembraani retseptorid kinnituvad bioaktiivse valgu kihi tsentritele ja need retseptor-valk sidemed kantakse läbi raku membraani moodusel, mis stimuleerib kindlaid rakkudevahelisi protsesse, mis määravad rakkude adhesiooni, kuju, kasvu ja jaotuse. Valkude adsorptsiooni mõjutavad paljud pinna omadused nagu märgumine, pinna keemiline koostis[5] ja pinna morfoloogia nanomeetri skaalal.[6]

Vaata ka[muuda | redigeeri lähteteksti]

Viited[muuda | redigeeri lähteteksti]

  1. "Glossary". The Brownfields and Land Revitalization Technology Support Center. Vaadatud 21.12.2009.
  2. "absorption (chemistry)". Memidex (WordNet) Dictionary/Thesaurus. Vaadatud 2.11.2010.
  3. Ferrari, L. (2010). "Interaction of cement model systems with superplasticizers investigated by atomic force microscopy, zeta potential, and adsorption measurements". J Colloid Interface Sci. 347 (1): 15–24. doi:10.1016/j.jcis.2010.03.005. PMID 20356605. 
  4. Wilson C. J. et al. (2005). "Mediation of Biomaterial-Cell Interactions by Adsorbed Proteins: A Review". Tissue engineering 11 (1): 1–18. PMID 15738657. 
  5. Sivaraman B., Fears K.P., Latour R.A. (2009). "Investigation of the effects of surface chemistry and solution concentration on the conformation of adsorbed proteins using an improved circular dichroism method.". Langmuir 25 (5): 3050–6. doi:10.1021/la8036814. PMID 19437712. 
  6. Scopelliti P.E. et al. (2010). "The effect of surface nanometre-scale morphology on protein adsorption". PLoS ONE 5 (7): e11862. doi:10.1371/journal.pone.0011862. 

Kirjandus[muuda | redigeeri lähteteksti]

  • Brandt, R. K. (1993). "The interpretation of CO adsorbed on Pt/SiO2 of two different particle-size distributions". Surface Science 286 (1–2): 15–25. doi:10.1016/0039-6028(93)90552-U. 
  • Cussler, E. L. (1997). Diffusion: Mass Transfer in Fluid Systems, 2nd, New York: Cambridge University Press, 308–330. ISBN 0521450780. 
  • Henderson, A. P. (2009). "A Novel Isotherm, Modelling Self-Assembled Monolayer Adsorption and Structural Changes". Langmuir 25 (2): 931–938. doi:10.1021/la802677n. 
  • Kisliuk, P. (1957). "The sticking probabilities of gases chemisorbed on the surfaces of solids". Journal of Physics and Chemistry of Solids 3 (1–2): 95–101. doi:10.1016/0022-3697(57)90054-9. 
  • Narayan, R. L. (1998). "Hydrogen adsorption states on silica-supported Ru-Ag and Ru-Cu bimetallic catalysts investigated via microcalorimetry". Thermochimica Acta 312 (1–2): 105–114. doi:10.1016/S0040-6031(97)00444-9. 
  • Rozanov, V. V. (1997). "Hydrogen spillover in heterogeneous catalysis". Russ Chem Rev 66 (2): 107–119. doi:10.1070/RC1997v066n02ABEH000308. 
  • Trens, P. (2009). "Poisoning of Pt/C catalysts by CO and its consequences over the kinetics of hydrogen chemisorption". Applied Catalysis B: Environmental 92 (3–4): 280–284. doi:10.1016/j.apcatb.2009.08.004. 
  • Uner, D. O. (1997). "The effects of alkali promoters on the dynamics of hydrogen chemisorption and syngas reaction kinetics on Ru/SiO2 catalysts". Studies in Surface Science and Catalysis 109: 315–324. doi:10.1016/S0167-2991(97)80418-1. 
  • Uner, D. O. (1998). "A sensible mechanism of alkali promotion in Fischer Tropsch synthesis:Adsorbate mobilities". Industrial and Engineering Chemistry Research 37: 2239–2245. doi:10.1021/ie970696d. 
  • VanderWiel, D. P. (1999). "A Kinetic Study of the Adsorption and Reaction of Hydrogen on Silica-Supported Ruthenium and Silver-Ruthenium Bimetallic Catalysts during the Hydrogenation of Carbon Monoxide". Journal of Catalysis 188 (1): 186–202. doi:10.1006/jcat.1999.2646. 
  • Zupanc, C. (2002). "The Interaction of Hydrogen with Ru/MgO Catalysts". Journal of Catalysis 209 (2): 501–514. doi:10.1006/jcat.2002.3647.