Peltier' element

Allikas: Vikipeedia
Peltier elemendid märgistatakse kirjega, mis iseloomustab sisalduvate pooljuhipaaride arvu ning töökeskkonna tingimusi.

Peltier' element on termoelektriline pooljuht-element, mis tänu Peltier' efektile võimaldab elemendiga termilises kontaktis olevat objekti jahutada või soojendada, vastavalt elementi läbiva voolu polaarsusele. Tänu Peltier efekti pöördnähtusele Seebecki efektile on võimalik kasutada Peltier' elementi ka termoandurina või elektrigeneraatorina.

Tööpõhimõte[muuda | redigeeri lähteteksti]

Välismõjuta juhis liiguvad laengukandjad juhuslikult. Temperatuurikõikumiste tõttu on osadel laengukandjatel kineetiline energia suurem ning osadel väiksem laengukandjate keskmisest kineetilisest energiast. Kuni elemendi otsad on samal temperatuuril ning neile ei ole rakendatud elektripinget, keskmistub laengukandjate liikumine välja ning keskmine elektrivool juhis on 0. Vool tekib, kui elemendile rakendatakse pinge (Ohmi seadus) või tekitatakse temperatuuride erinevus (Seebecki efekt).

Kõrgema keemilise potentsiaaliga otsas kasvab laengukandjate kontsentratsioon kõrgematel energiatasemetel. Energia kasvades liigub osa laengukandjaid elemendil piirkondadesse, kus vastaval energiatasemel on laengukandjate kontsentratsioon madalam. Osa liikuvate laengukandjate energiast hajub naabruses asetsevatele laengukandjatele. Kõrgetel energiatasemetel vabanenud kohad täituvad uute osakestega, mis on energiat juurde saanud. Toimub laengukandjate liikumine madalama keemilise potentsiaaliga piirkondadesse materjalis. [1]

Kui elemendi otstele ei ole rakendatud pinget (ühtlane keemiline potentsiaal), kuid elemendi otsad on eri temperatuuridel, siis on soojemas otsas laengukandjate energia kõrgem. Elemendi soojemas otsas on kõrgematel energiatasemetel asustatus tihedam ning madalamatel energiatasemetel asustatus hõredam kui elemendi jahedamas otsas. Suurema energiaga laengukandjad triivivad elemendi jahedamasse otsa, aidates kaasa entroopia kasvule. Samuti tõstab entroopiat madalama energiaga laengukandjate liikumine elemendi soojemasse otsa. Et kõrgema ja madalama energiaga laengukandjate liikumised toimuvad üksteise suhtes vastassuunas, siis erineb kogu voolutugevus nullist vaid juhul kui laengukandjate triiv on ühes suunas kiirem. Kogu voolutugevus avaldub \scriptstyle\mathbf J = \sigma S\boldsymbol\nabla T, kus termoelektriline koefitsient \scriptstyle\sigma S iseloomustab juhtivuse erinevust kõrge energiaga ja madala energiaga laengukandjate korral. Sõltuvalt laengukandjate energiast võivad erineda nende kiirused, hajumine materjalis, energiatasemete asustatuse tihedus või kõik kokku.

Nähtust, kus temperatuuride erinevus põhjustab elektripinge tekke, nimetatakse Seebecki efektiks. Kui vabad laengukandjad on positiivse laenguga (P-tüüpi pooljuht), siis koguneb positiivne laeng elemendi külmale küljele, mis omandab seetõttu positiivse potentsiaali. Kui vabad laengukandjad on negatiivsed (N-tüüpi pooljuht), siis omandab elemendi külm külg negatiivse potentsiaali. Seebecki efektist tingitud elektripinge U avaldub järgmiselt:

Seebecki efektist tingitud laengukandjate liikumine.

U = \alpha \Delta T,

kus \Delta T on temperatuuride erinevus ning \alpha on Seebecki koefitsient. [2]

Termoelektriline generaator[muuda | redigeeri lähteteksti]

Ühendades N- ja P-tüüpi pooljuhtide kuumad otsad elektriliselt ning lisades koormuse külmade otste vahele, tekib tänu Seebecki efektile ahelas elektrivool. Temperatuuride vahe põhjustab elektripinge ning soojusliikumine võimaldab elektrivoolu tekke.

Termoelektriline generaator on pingeallikas, mille sisetakistus tuleneb termoelektrilise materjali takistusest. Vastavalt Ohmi seadusele (\scriptstyle U = I R) on pingeallika sisetakistuse tõttu pinge koormisel väiksem kui pinge avatud vooluringi korral. Efektiivsus on maksimaalne kui koormise takistus ühtib pingeallika sisetakistusega.

Peltier element termoelektrilise generaatorina.

Elektripinge[muuda | redigeeri lähteteksti]

Elektripinge koormisel avaldub kujul:

U = \alpha \Delta T - I R_{TE}, [2]

kus U on pinge koormisel, I on voolutugevus, R_{TE} on generaatori sisetakistus, \alpha on Seebecki koefitsient ning \Delta T on temperatuuride vahe.

Sisetakistus[muuda | redigeeri lähteteksti]

Termoelektrilise elemendi takistus R_{i} sõltub elemendi eritakistusest \rho_{i}, pikkusest l ja ristlõikepindalast A_{i}:

R_{i} = \rho_{i} \frac{l}{A_{i}} [2]

Võimsus[muuda | redigeeri lähteteksti]

Seose \scriptstyle P = U^2 / R põhjal avaldub termoelektrilise generaatori võimsus järgmiselt:

P \approx \Delta T^2 \frac{\alpha^2}{\rho} \frac{A_{TE}}{l}, [2]

kus A_{TE} on termoelektriliste elementide kogupindala.

Efektiivsus[muuda | redigeeri lähteteksti]

Generaatori efektiivsus sõltub lisaks võimsusele ka sisendsoojusest seadme kuumal küljel. Sisendsoojus kulub termoelektrilise protsessi (Peltier' efekt) käigus, kuid osa soojusest hajub generaatori soojusjuhtivuse tõttu (Fourier' seadus) ning osa kulub generaatori enda takistusliku soojuseralduse ületamiseks. Termoelektriliste materjalide soojusjuhtivuse tõttu lekib osa soojust soojemalt küljelt külmemale, mis langetab termoelektrilise generaatori efektiivsust.

Termoelektrilisest materjalist tingitud efektiivsust kirjeldavad soojusmasina kasutegur ja elektrotermiline kasutegur. Soojusmasina kasutegur on piiratud Carnot' tsükli efektiivsusega. Elektrotermiline kasutegur sõltub termoelektrilise materjali Seebecki koefitsiendist, elektri- ning soojusjuhtivusest. Väikese temperatuuride erinevuse korral avaldub maksimaalne efektiivsus järgmiselt:

\eta_{max} = \frac{\Delta T}{T_{h}} \frac{\sqrt{1 + z T} - 1}{\sqrt{1 + z T} + 1} [3] [2]

z T = \frac{\alpha^2 T}{\rho \kappa},

kus \rho on elektriline takistus, \kappa soojusjuhtivus, z T on termoelektriline kasutegur ning \frac{\Delta T}{T_{h}} on soojusmasina kasutegur.

Rakendusi[muuda | redigeeri lähteteksti]

Seebecki efekt võimaldab kasutada Peltier' elemente elektrigeneraatorina. Element toimib nagu soojusmasin, kuid ei sisalda liikuvaid osi ja seda on lihtsam väiksemaks skaleerida. Samas on Peltier' element aga kallim ja vähem efektiivne kui tüüpiline soojusmasin.

Peltier' elemente kasutatakse elektrijaamades heitsoojuse elektriks muundamisel ning autodes kütuse efektiivsuse tõstmisel. Kosmosesondides kasutatakse termoelektrilisi generaatoreid, et muundada radioaktiivsete isotoopide lagunemisel eralduv soojusenergia elektrienergiaks.

Inimkeha toodab paigal istudes 116 W, mis on piisav, et toita päevavalguslampi või sülearvutit. Termoelektrilisi generaatoreid kasutatakse ka elektriliste stimulaatorite (nt südamerütmur) ning tehisorganite toitmiseks. [4]

Mikroprotsessorite transistoritiheduse kasvades kasvab ka pinnaühiku kohta eralduv soojusenergia, millest osa on võimalik uuesti muundada elektrienergiaks. Operatsioonisüsteemi Windows XP jooksutava 2,4 GHz taktsagedusega Intel Pentium 4 protsessori heitsoojusest on saadud kuni 3,729 V ja 11,9 mA, kasutades protsessorile kinnitatud termoelektrilist generaatorit kasuteguriga z T = 0,72. [5]

Peltier' jahutus[muuda | redigeeri lähteteksti]

Rakendades Peltier' elemendile välise elektrilise potentsiaali, saame suunata laengukandjate liikumist ning sundida soojust kanduma ühelt küljelt teisele. Mida rohkem soojust peab Peltier' jahuti ära juhtima, seda vähem efektiivne ta on, sest suurenenud voolutarbe tõttu eraldub ka elemendis eneses rohkem soojust. Peltier' elemendi soojemale küljele juhitav soojushulk Q on võrdeline voolutugevusega I:

Peltier element termoelektrilise jahuti või soojendina.

Q = P I, kus P on Peltier koefitsient. Peltier koefitsient sõltub temperatuurist ja elemendi koostismaterjalidest.

Termoelektriline jahutus on umbes 4 korda vähem efektiivne (10–15% ideaalse Carnot' ringprotsessi efektiivsusest) kui jahutus traditsioonilise kompressioonitsüklitega soojusmasina abil (40–60% ideaalse Carnot' tsükli efektiivsusest).

Eeliseid:

  • Ei ole liikuvaid osi.
  • Ei vaja freoone.
  • Võimaldab temperatuuri juhtida kraadi murdosa täpsusega.
  • Kuju ja mõõtmed vastavalt vajadusele.
  • Pikk eluiga (üle 100 000 tunni).
  • Tüüritav pinge või voolu abil.

Puuduseid:

  • Eraldatav soojusvoog on piiratud.
  • Vähem efektiivne kui auru veeldamise meetodil jahutamine.

Efektiivsus[muuda | redigeeri lähteteksti]

Termoelektriliste jahutite efektiivsusi võrreldakse maksimaalse tekitatava temperatuuride erinevuse alusel. Maksimaalne tekitatav temperatuuride vahe sõltub termoelektrilisest kasutegurist järgmiselt: (T_s - T_c)_{max} = \frac{z {T_c}^2}{2}, [6]

kus T_s on substraadi temperatuur ning T_c on jahutatava otsa temperatuur.

Ehitus[muuda | redigeeri lähteteksti]

Peltier elemendi siseehitus.

Peltier element koosneb omavahel ühendatud erineva elektronide tihedusega N- ja P- tüüpi pooljuhtidest. Pooljuhid on omavahel soojuslikult rööbiti ühendatud ning kontaktis kahel küljel oleva soojusjuht-plaadiga. Elektriliselt on pooljuhid omavahel ühendatud jadamisi. Rakendades pinge otsmiste pooljuhtide küljes olevatele elektrikontaktidele, läbib pooljuhte alalisvool, mis põhjustab temperatuuride erinevuse kahe soojusjuht-plaadi vahel. Külm külg neelab soojust ning kannab selle kuumale küljele, mille külge ühendatakse tavaliselt radiaatorjahutus.

Suurendamaks jahutusvõimet, moodustatakse elemente üksteise otsa ladudes mitmekihilisi jahutusseadmeid, mille jahutusvõime on proportsionaalne kokku ühendatud elementide arvuga.

Materjalid[muuda | redigeeri lähteteksti]

Kõrge termoelektrilise võimsuskordajaga materjal peab olema suure termoelektrilise kasuteguriga z T, omama kõrget Seebecki koefitsienti (laengukandjatest vaesunud pooljuhid või dielektrikud) ning olema hea elektrijuht (kõrge laengukandjate kontsentratsiooniga metallid). Saavutamaks suurt summaarset Seebecki efekti, peaks materjal sisaldama vaid üht tüüpi laengukandjaid. Mõlema, nii N- kui P-tüüpi juhtivuse kasutamine põhjustab vastandsuunalisi Seebecki efekte ning madalat termoelektrilist võimsust (ingl. k. low thermopower). Headeks termoelektrilisteks materjalideks loetakse tugevalt dopeeritud pooljuhte laengukandjate kontsentratsiooniga vahemikus 10^{19} .. 10^{21} laengukandjat / cm^3. [2]

Eri tüüpi materjalide termoelektrilised omadused. Seebecki koefitsient on esindatud absoluutväärtusena. Laengukandjate kontsentratsioon on logaritmilises skaalas.

Piisavalt laia keelutsooni korral on võimalik N- ja P-tüüpi laengukandjad eraldada nii, et dopeerides saame üht tüüpi laengukandjatega materjali. Samas peab keelutsoon olema aga piisavalt kitsas, et tagada laengukandjate kõrge mobiilsus ning seega hea elektriline juhtivus.

Hea termoelektriline materjal on ka halb soojusjuht. Soojusjuhtivusele panustavad nii kristallstruktuuris levivad foononid kui ka elektronid või augud. Soojusjuhtivust on võimalik vähendada, rikkudes struktuuri korrapära, lisades raskeid aatomeid, tekitades aatomite klastreid ning kasutades suure ühikrakuga materjale. [7]


Termoelektriliste materjalide omadusi:

  • kitsa keelutsooniga pooljuhid (võimaldamaks kasutust toatemperatuuril)
  • rasked elemendid (laengute hea liikuvus, madal soojusjuhtivus)
  • suur kompleksse struktuuriga ühikrakk
  • tugevalt anisotroopne või tugevalt sümmeetriline
  • kompleksne kompositsioon

Termoelektriliste pooljuhtidena kasutatakse vismuti telluriidi, plii telluriidi, räni-germaaniumit ning vismuti ja antimoni sulameid. Eelnimetatutest on vismuti telluriid kõige levinum.

Integreeritud Peltier elemendid[muuda | redigeeri lähteteksti]

Transversaalne Peltier element.

Mikrokontrollerite töö käigus tekivad kõrgema temperatuuriga piirkonnad ning temperatuurist sõltuvate lekkevoolude tõttu mikrokontrollerite voolutarve kasvab. Jahutuselementide ning soojushajutite integreerimine võib aidata langetada mikrokontrolleri voolutarvet. Jahutada on võimalik kogu mikrokontrolleri pinda või, kasutades integreeritud Peltier elemente, kindlaid piirkondi mikrokontrolleris. Jahutades vaid kuumemaid piirkondi on võimalik vältida mikroskeemi jahedamate piirkondade alajahutust ning hoida kokku jahutamisele kuluvat elektrienergiat.

Transversaalsetes Peltier elementides on P- ja N- pooljuhid laotud üksteise peale. Tänu sellele, et kuum ja külm külg on võimalik viia üksteisele väga lähedale (kuni \scriptstyle \approx 2 - 5 \mu m) ning et elemendi saab tekitada suure ristlõikepindalaga, on võimalik kiiresti teisaldada suuri soojushulkasid. Transversaalsete elementide heast soojusjuhtivusest tingituna on nad aga keskkonna temperatuurikõikumiste suhtes väga tundlikud ning ei sobi temperatuuri stabiliseerimiseks. Elektriliste kontaktide paigutamisel tuleb arvestada ka nende soojusjuhtivust, mis võib elemendi efektiivsust märkimisväärselt kahandada.

Lateraalne Peltier element.

Lateraalsetes Peltier elementides on elektrivoolu ja soojusliikumise jaoks vaid üks tee elemendi külmalt küljelt kuumale. Võrreldes transversaalsete elementidega, pakuvad lateraalsed elemendid seega stabiilsemat ja kergemini ennustatavat temperatuuride vahet kuuma ja külma külje vahel. Lateraalsed elemendid on ka väiksema soojusjuhtivusega, tänu millele ei ole nad niivõrd tundlikud keskkonna temperatuuri kõikumiste suhtes. Kuid külma ja kuuma külge ei saa viia üksteisele nii lähedale kui seda on võimalik transversaalsetel elementidel, mistõttu on lateraalsetes elementides külgede vaheline elektriline takistus on suurem. Suurema elektritakistuse tõttu on teisaldatav soojushulk piiratud. Kuigi ka lateraalseid Peltier elemente üksteise otsa ladudes on võimalik jahutusvõimsust tõsta, teeb see tootmisprotsessi ebapraktiliselt keeruliseks. [6]

Mikrokiipidesse integreeritud Peltier elemente kasutatakse kastepunkti andurites, temperatuuri stabiliseerimiseks optilistes sensorites ning kiirgusandurite tugipingeallikates.

Lateraalse termopatarei tootmisetapid[muuda | redigeeri lähteteksti]

Üks paljudest võimalikest lateraalsete Peltier elementide tootmisprotseduuridest.

  1. Nitriidi sadestamine. Mõlemale poole ränidioksiidist pooljuhtplaati kantakse keemilise aurufaas-sadestamisega kiht räninitriidi. Pealmine räninitriidi kiht on vajalik aluselise söövitusprotsessi peatamiseks. Alumist räninitriidi kihti kasutatakse söövitamise maskina.
  2. Polükristalse räni-germaaniumi kihi kasvatamine. Termoelektrilise materjali polySi_{0.7} Ge_{0.3} kasvatamine otse räninitriidi pinnale on keerukas (tingitud räninitriidi sadestamisel kasutatud kloori ühenditest). Räninitriidi pinnale kantakse keemilise aurufaas-sadestamisega polySi nukleatsioonikiht, millele kasvatatakse epitaksiaalselt polySi_{0.7} Ge_{0.3}. Termoelektriline materjal dopeeritakse ning lõigatakse anisotroopse plasmasöövitusega.
  3. Oksiidi sadestamine. Ränidioksiidi keemilise aurufaas-sadestamise käigus kasutatakse tetraetüülortosilikaati (TEOS).
  4. Lõõmutamine. Pärast ränidioksiidi sadestamist, lõõmutatakse pooljuhtplaati polükristalse räni-germaaniumi ümber-kristalliseerimiseks. Lõõmutamine aitab aktiveerida dopeeritud aatomid, vähendada mehaanilisi pingeid termoelektrilises materjalis ning tõsta räni dioksiidi kihi tihedust.
  5. Metalliseerimine. Ioonsöövitamise teel tekitatakse ränidioksiidi sisse augud elektriliste kontaktide tarbeks. Al_{0.99} Si_{0.01} kantakse pooljuhtplaadile, misjärel lõigatakse seda ioonsöövitusega.
  6. Läbiv söövitus. Esmalt söövitatakse kaaliumhüdroksiidiga läbi pooljuhtplaadi kuni pealmise räninitriidi kihini. Seejärel lõigatakse läbi membraani, kasutades reaktiivset ioonsöövitust (ingl. k. RIE).

Vaata ka[muuda | redigeeri lähteteksti]

Viited[muuda | redigeeri lähteteksti]

  1. Datta, Supriyo (2005). Quantum Transport: Atom To Transistor. Cambridge Univ Pr. ISBN 9780521631457.  Chapter 11.
  2. 2,0 2,1 2,2 2,3 2,4 2,5 Snyder, G. Jeffrey. "The Science of Thermoelectric Materials". California Institute of Technology. Vaadatud 19 December 2013.
  3. (2 October 2003) "Thermoelectric Efficiency and Compatibility". Phys. Rev. Lett. 91 (14). The American Physical Society. doi:10.1103/PhysRevLett.91.148301. 
  4. (October 2013) "Self power generated Ultra Low Power Microcontroller based Gait aided Functional Electrical Stimulator". International Journal of Scientific & Engineering Research 4 (10). ISSN 2229-5518. 
  5. (May 2012) "Thermoelectricity from wasted heat of integrated circuits". Applied Nanoscience 3 (3). Springer. doi:10.1007/s13204-012-0128-2. 
  6. 6,0 6,1 Wijngaards, D.D.L. (2003). Lateral on-chip integrated Peltier elements based on polycrystalline silicon germanium. TU Delft. 
  7. (2008) "Complex thermoelectric materials". Nature Materials 7: 105–114. doi:10.1038/nmat2090. 

Välislingid[muuda | redigeeri lähteteksti]