Pooljuhtelektroonika

Pooljuhtelektroonika on elektroonika, mis põhineb pooljuhtmaterjalide kasutamisel.

Juba lampelektroonika laialdase kasutamise ajal 20. sajandi esimesel poolel hakati pooljuhtmaterjale kasutama peamiselt dioodde valmistamiseks, seda kohati lausa kodustes tingimustes (näiteks nn detektorvastuvõtjas). Väga laialdase leviku osaliseks said kuproks- ja seleenalaldid.

Pooljuhtmaterjalidest hakati valmistama mitmesugused sensoreid (temperatuuri, valguse, kiirguste, magnetvälja).

Tõeliselt laia leviku sai pooljuhtide kasutamine aga koos bipolaartransistori leiutamisega 1947. aastal. Peamise materjalina oli algul kasutusel germaanium (Ge), kuid peagi vahetas räni (Si) selle välja.

Kuigi välitransistori kui elektronlambi analoogi (n-ö kütteta lambi) mõte ise on palju vanem (Lilienfeld, 1925), jõuti pn-siirdega välitransistori praktilise teostamiseni alles 1950. aastatel, ja siis jäi see tulemus suuresti bipolaartransistori kiire leviku varju.

Üksiktransistoridelt integraalskeemidele üleminekul 1960. aastatel jäi välitransistor samuti varju (Darlingtoni transistorid, kuuldeaparaatide võimendid, diferentsiaalpaarid, operatsioonvõimendid). Välitransistor (FET) isoleeritud paisuga versioonina (nn MOSFET transistor) ja komplementaarsel kujul (CMOS ehk n- ja p-kanaliga transistorid samal kristallil) tõrjus seejärel paarikümne aastaga bipolaartransistori integraalskeemidest praktiliselt välja, algul laiatarbelistest digitaalskeemidest, eriti mikroprotsessortehnikas ja arvutitehnikas üldse, seejärel aga ka laiemalt, kaasa arvatud analoogmikroskeemidest.

Tänapäeva pooljuhtelektroonika on submikromeetriline (mäluseadmed) ja isegi nanotehnoloogiline, ning sellega on saavutamas füüsikalist piiri (üheaatomitransistor).

Eestis on pooljuhtseadiseid ja mikroskeeme toodetud alates 1958. aastast Tallinna Pooljuhttakistite Tehases, mida hiljem kutsuti pooljuhtseadiste tehaseks, ametlikult Hans Pöögelmanni nimeliseks Elektrotehnika Tehaseks, hiljem Tondi Elektroonikaks.