Redaktsioon: 21. juuni 2015, kell 14:37 (redigeeri) Kuriuss (arutelu \| kaastöö) P (Röntgenkiirgus > röntgenikiirgus) Märgis: Visuaalmuudatus: Ümberlülitus ← Vanem muudatus		Redaktsioon: 18. november 2015, kell 09:20 (redigeeri) (eemalda) Kuriuss (arutelu \| kaastöö) P (näpukas) Märgis: Visuaalmuudatus Uuem muudatus →
Kiibis on ühendamata paisuga [[transistor]]ite (''floating-gate transistors'') read, mis on eraldi programmeeritud elektroonilise programmerimisseadme poolt. Programmeerimisseade ehk [[programmaator]] annab programmeerimisel kiibile suuremat pinget kui tavaliselt andmete lugemiseks kasutatakse. Programmeeritud EPROM-i saab kustutada, kui asetada see tugeva [[ultraviolettkiirgus]]e kätte. EPROM on kergesti äratuntav selle peal oleva läbipaistva kvartsist kustutusakna järgi, mille kaudu on nähtav ränikiip. EPROM-i mälu areng algas vigase integraallülituse uurimisest, kus ühendused transistorite vahel olid katki. Salvestatud ~~laeng~~laengud nende isoleeritud ühendustes muutsid nende omadusi. EPROM-i leiutas firma [[Intel]] töötaja [[Dov Frohman]] 1971. aastal. USA patent 3660819 EPROM-i kohta avaldati 1972. aastal. ==Tööpõhimõte== Andmete salvestamiseks mällu tuleb valida antud aadress ja kohaldada kõrgemat pinget transistorile. See tekitab laviini tühjakslaskmise elektronidel, mis on piisav energia, et läbida isoleerivat oksiidi kihti ning koguneda värava elektroodile. Kui kõrgepinge on eemaldatud, on elektronid lõksus elektroodis. Andmed võivad säilida aastakümneid, kuna kõrge soojusisolatsiooni väärtus ränioksiids, mis ümbritseb väravat, ei lase salvestatud laengul kergesti ära lekkida. Erinevalt EEPROM-ist pole EPROM-i programmeerimise protsess elektriliselt pöörduv. ~~Transistoritele~~Transistoridele salvestatud andmete kustutamiseks tuleb ~~ultraviolettkiirgu~~ultraviolettkiirgus juhtida läbi klaasi. UV valguse footonid loovad ionisatsiooni jooksul ränioksiidist, mis võimaldavad salvestatud laengul „floating gate“ hajutada. Kuna kogu mälu massiiv on avatud, kustub kogu mälu samal ajal. Protsess võtab aega mitu minutit normaalsuuruses UV-lampi kasutades, päikesevalgus kustutaks kiipi mitu nädalat ja siseruumide lambid mitu aastat. Üldiselt EPROM-mälu tuleb kustutamiseks seadmest eemaldada, kuna tavaliselt pole otstarbekas ehitada sisse UV-lamp, mis kustutaks vooluringi osasid. ==Detailid== [[Pilt:Floating gate transistor.png\|pisi\|Läbilõige ''floating-gate transistor''ist]] Kuna kvartsekraani on kallis teha, siis toodi tagasi OTP (ühekordsed programmeeritav) kiibid millele paigaldati läbipaistmatu kate, et pärast programmeerimist ei saaks seda kustutada, seega kadus ka vajadus testida kustutamis funktsiooni, tänu millele vähenesid edasised kulutused. Kuigi OTP EPROM (kas eraldi või osa suuremast kiibist) on üha enam ~~asenatud~~asendatud EEPROM-iga väikeste summadega, kus tüki hind ei ole liiga suur ja mälu suurem. Programmeeritud EPROM säilitab oma andmed vähemalt 10–20 aastat, paljud EPROM-id säilitavad oma andmeid isegi ~~peale~~pärast 35 aastat või kauemgi ja nendelt saab informatsiooni lugeda lõpmata arv kordi. Kustutamise aken peab olema kaetud läbipaistmatu kilega, et kaitsta kiipi juhusliku UV-kiirguse eest, mis võib tulla päikesevalgusest või kaamera vägust. Vanad PC BIOS kiibid olid enamasti EPROM ja kustutamise aken oli enamasti kaetud kilega, mis sisaldas BIOS-i väljaandja nime, BIOS läbivaatamise ja autoriõiguse märget. Sageli oli see silt fooliumist, et tagada kaitse UV-kiirguse eest. EPROM-i kustutamine toimub lainepikkustel, mis on lühem kui 400 nm. Ühe nädalane kokkupuude päikesevalgusega või 3 aastat toavalguse käes võib põhjustada EPROM-i mälu kustumise. Soovitatav kustutamise protsess on kokkupuude UV-valguses lainepikkusel 253,7 nm vähemalt 15 W-sec/cm2 20–30 minutit, kus lamp asub umbes 2,54 cm kaugusel. "Teisisõnu, EPROM-i kustutamiseks tuleb esmalt lasta EPROM-ile röntgenikiirgust ja siis panna see ahju temperatuuril umbes 600 kraadi Celsiuse järgi (et karastada pooljuhtide muutused, mis on tingitud röntgenikiirgusest). Selle protsessi usaldusväärsuse osas oleks pidanud tegema ulatuslikumaid katseid ja seetõttu otsustati akna kasuks. EPROM-il oli piiratud, kuid suur hulk kustutatavaid tsükleid. Ränidioksiidi ümber väravate koguvad kahju igast tsükklist, muutes kiibi ebausaldusväärseks pärast mitu tuhat tsüklit. EPROM-i programmeerimine on aeglane võrreldes teiste mäludega. Kuna kõrgtihedusega osadel on vähe kaitsmata ~~oksiidga~~oksiidiga ~~ühenduste~~ühendusi ja värav vahel, ~~ultraviolett~~muutub ~~kustutamine muutub~~ultravioletikustutamine vähem praktiliseks väga ~~suur~~suurte mälude puhul. Isegi tolm paki sees võib takistada osade rakkude kustutamist. ==Rakendused saritootmises==

EPROM: erinevus redaktsioonide vahel

EPROM (muuda)

Redaktsioon: 18. november 2015, kell 09:20

Navigeerimismenüü