Ahti Niilisk

Ahti Niilisk (sündinud 10. juunil 1937 Haapsalus) on eesti füüsik.

Elulugu

Ahti Niilisk on talupidaja poeg.

1955. aastal lõpetas Niilisk Haapsalu 1. Keskkooli, 1960 Tartu Ülikooli füüsika osakonna ning 1966 Eesti NSV TA Füüsika ja Astronoomia Instituudi aspirantuuri. 1971. aastal kaitses ta füüsika-matemaatikakandidaadi kraadi.

Niilisk oli 1961–63 ja 1966–67 Füüsika ja Astronoomia Instituudi nooremteadur, 1967–70 peainsener, 1970–71 vaneminsener, 1971–72 nooremteadur ja 1972–73 vanemteadur. 1973–90 oli ta Eesti Teaduste Akadeemia Füüsika Instituudi vanemteadur, 1980 ka Poola Teaduste Akadeemia uurimiskeskuse Unipress külalisteadur, 1990–2003 Füüsika Instituudi (aastast 1997 Tartu Ülikooli Füüsika Instituudi) teadur. 2003. aastast on ta erakorraline vanemteadur, 2003 oli ka Hawaii Ülikooli (USA) külalisstipendiaat.

Teadustöö

Ahti Niiliski peamised uurimisvaldkonnad on kõrgrõhu mõju kristallide lisanditsentrite ja eksitonide optilistele omadustele, pooljuhtide fotoelektrilistele omadustele ja pooljuht-heterolaserite kiirguskarakteristikutele laias temperatuurivahemikus. Tema osalusel juurutati FI-s metoodika tahkiste optiliste ja elektriliste omaduste uurimiseks kuni 15-kilobaarise hüdrostaatilise rõhu korral temperatuurivahemikus 4,2–300 K. Ta on avaldanud üle 60 teadustrükise.

Tunnustus

• 1982 Eesti NSV riiklik preemia (kollektiivis)
• 2012 Tartu Ülikooli medal

• 2017 Tartu Ülikooli aumärk

Teoseid

• Spectroscopic investigation of Cu+ and Ag+ centres in alkali halides under high hydrostatic Pressure. // Phys. Status Solidi 33 (1969)
• Luminescence decay time for Ga+ centres in alkali halides (kaasautor). // Phys. Status Solidi (b) 64 (1974)
• Effect of hydrostatic pressure on the emission properties of GaSb/AlGaSb DH diode lasers (kaasautor). // High Pressure Sci. and Technol. 2. Kiev, 1989
• Active layer assessment of AlxGa1-x AsySb1-y/GaSb diode lasers from hydrostatic pressure measurements (kaasautor). // Semiconductor Sci. and Technol. (UK) (1990) 5
• Large pressure effect on photoluminescence lines in 6H SiC:Ti crystals (kaasautor). // Solid State Comm. 88 (1993)
• Tehisteemandi saamisest ja kasutamisvõimalusest. // EFS-i aastaraamat 1993. Tartu, 1994
• High-temperature atomic layer epitaxy from TiO₂ from TiCl₄ and H₂O–H₂O (kaasautor). // TA Toimetised. Füüsika. Matemaatika 52 (2003)
• XRD and micro-Raman study of ALD-grown ZrO₂ and HfO₂ thin films (kaasautor). // J. Cristal Growth (2004)
• Structural study of TiO₂ thin filmsby micro-Raman spectroscopy (kaasautor). // Central Eur. J. Phys. 4 (2006) 1
• Spectroscopic and Raman spectroscopic characterization od ALD grown TiO₂ thin film (kaasautor). //. J. Int. Soc. Optical Eng. (2007)

Kirjandus

• Eesti readuse biograafiline leksikon, 3. köide

Välislingid

• Ahti Niilisk Eesti Teadusinfosüsteemis

Käesolevas artiklis on kasutatud "Eesti teaduse biograafilise leksikoni" materjale.