PROM

Allikas: Vikipeedia



Programmeeritav PROM, väljaga programmeeritav püsimälu ehk FPROM või ühekordneprogrammeeritav püsimälu ehk OTP NVM on digitaalsel kujul mälu, kuhu iga bit on lukustaud „fuse“-dega või „antifuse“-dega. Sellist süsteemi kasutatakse programmide salvestamiseks jäädavalt. Põhiline erinevus ROM-iga on, et programmeerimine rakendatakse pärast seademe ehitamist. PROM on valmistatud tühja kestana ja sõltuvalt tehnoloogiast, saab programmeerida seda kas süsteemis või viimasel testimisel . Sellise tehnika olemasolust võimaldab ettevõtetel hoida varuks tühi PROM kättesaadaval, ja programmida neid viimasel hetkel, et vältida suure hulga muid töö kohustusi. Seda tüüpi mälud, on sageli näha videomängupuldites, mobiiltelefonides, raadioseadmetes, siirdatavates meditsiiniseadmedes, High-Definition Multimedia liidesdes (HDMI) ja paljudes teistes tarbija ja autotööstus elektroonikas.

Ajalugu[muuda | redigeeri lähteteksti]

PROM leiutati 1956. aastal Wen Tsing Chow poolt, kes töötas Arma osakonnas American Bosch Arma Corporationis Garden Citys, New Yorkis. Leiutis teostati nõudel et Ameerika Ühendriikide õhujõud saaks paindlikumaks ja et oleks võimalik turvalisel viisil ladustada sihtimis kordinaate Atlase E / F ICBMis (rakett) mida peeti õhus kasutatavaks digitaalseks arvutiks. Patent ja sellega seotud tehnoloogia hoiti saladuses, mitu aastat kasutati sama Atlas E / Fi mis oli peamine operatiivne rakett Ameerika Ühendriikide ICBMi jõududes. Mõiste "põletada", viidab programmitöö protsessi PROM, see on kirjeldatud ka algses pantendis, mille üks originaal rakendusi oli sõna otseses mõttes põletada sisemised dioodi vurrud koos praeguse ülekoormusega, et toota vooluringide katkemist. Esimesed PROMi programmeerimise masinad kujundati ka Arma inseneride poolt Mr Chow juhatuse all ja nad töötasid Arma City laboris ja Õhuvägede strateegilise Õhujuhtimis (SAC) peakorteris. Müügilolevaid pooljuhtide „antifusel“ põhinev OTP mälu massiivid olid umbes müügis alates aastast 1969, esialgu „antifusel“ puhukus kondensaator piiripunktide vahel juhtivaid ridu. Texas Instruments arendas MOS „värava-hapendi“ jaotuse „antifusele“ 1979. aastal. kahe-värava-hapend kahe transistoriga (2T) MOS „antifuse“ võeti kasutusele aastal 1982. Varajane hapendi jaotus tehnoloogia eksponeeris erinevaid , programmeerimise, suuruse ja tootmisega seotud probleeme, mis takistas toodangumahtu mäluseadmetel põhinevaid tehnoloogiaid. Kuigi „antifuse“ OTP on saadaval olnud juba aastakümneid, ei olnud kättesaadavad standard CMOSi kuni aastast 2001, kui Kilopass Technology Inc patenteeritud 1T, 2T ja 3.5T „antifuse“’ aku tehnoloogiat kasutades standard CMOS protsesse, mis võimaldas integreerida PROM loogika CMOS kiipidesse . Esimene protsess sõlmides „antifuse“ saab rakendada standard CMOSi . Kuna Gox jaotus on väiksem kui ristmiku jaotusel siis ei olnud „antifusel“ erilist levikut. Leiti, et ei ole vajadust luua „antifuse“ programmeerimise elemente. Aastal 2005, esitleti poolitatud kanaliga „antifuse“ seade Sidense poolt. See „Split Channel bit celli“ ühendab paks IO ja õhuke värav hapendi seadmed ühte transistorisse (1T), millel on ühine polükristallränist värav.

Programeerimine[muuda | redigeeri lähteteksti]

Tüüpiline PROM loeb kõik bitid sõnastuses "1". „Burning Fuse“ programmeerimise käigus loeb "0". Mälu saab programmeerida ainult üks. Kord pärast tootmist „puhutakse“ kaitsmed, mis on pöördumatu protsess. Puhutud kaitse avab ühenduse samal ajal kui programmide antifuse sulgeb ühenduse. Kuigi seda on võimatu muuta on pärast siiski kaitsmeid sageli võimalik muuta mälu sisu muutmiseks esialgne programmeerimine puhub veel kaitsmed, muutes mõned veel "1" bitti mälu "0" s. (Kui kõik bitid on"0", ei ole edasine programmeerimise muutumine enam võimalik.) Lahter on programmeeritud, kasutades kõrgepinge-impulssi, mida ei esine tavapärase toimimise ajal, mis hõlmab kogu värava ja aluspõhja aatomi kihil. Sadestusega transistor (umbes 6V eest 2 nm paks või 30MV/cm) mis on selleks et murda hapend värava ja substraadi vahel. Positiivne pinge transistori väraval koostab inversiooni kanali substraadi värava alla, põhjustades hapendi läbi voolu. Uuemad versioonidel on täiendavad lõksud , suurendades hapendi kontsetraati ning lõpuks sulatab hapendi ning moodustub juhtiva kanali väravast substraatini. [1]


Uuemad versioonid[muuda | redigeeri lähteteksti]

EEPROM[muuda | redigeeri lähteteksti]

EEPROM ( kirjalikult E2PROM ) elektriliselt kustutatav programmeeritav püsimälu ja on teatud tüüpi mitte kaduv mälu, mida kasutatakse arvutite ja muude elektrooniliste seadmetel, mahutab väikeses koguses andmeid, mida tuleb päästa, kui elekter on eemaldatud, nt kalibreerimistabeleid või seadme konfiguratsioonid. Kui suuremaid summasid staatilisi andmeid tuleb salvestada (näiteks USB) konkreetset tüüpi EEPROMi. Flash mälu on odavam kui traditsioonilised EEPROM seadmeid. EEPROM on realiseeritavad tänu massiive paisumisega transistoritele. EEPROM on kasutajasõbralik modifitseeritav püsimälu (ROM), mida saab kustutada ja ümber programmeerida (kirjutada) korduvalt programmi kaudu tavapärasest kõrgema elektripingega mis on loodud siseselt või väliselt. EPROM tavaliselt tuleb eemaldada, seadmest, et saaks kustutada või programmeerida, aga EEPROMi saab programmeerida ja kustutatada kui ta on veel seadmega ühenduses. Algselt EEPROM piirdus ühe baidi toimingutega, mis tegi neist aeglasemad, kuid kaasaegne EEPROM võimaldab multi-bitilisi operatsioone. Samuti on piiratud elu see tähendab et, mitu korda on võimalik kusutada EEPROMi, varem piirdus see kümnest kuni sadade või isegi tuhandete kordadeni. Nimetatud piirang on tänaseks laiendatud kuni miljoni korrani. . EEPROM, mida on sageli ümber programmeeritud, kui arvuti on kasutuses sellel ajal võib EEPROMi elu lüheneda, EEPROMi oluline disaini osa on tema elu pikkus. Just sel põhjusel, et EEPROM kasutatakse konfiguratsiooni ja informatsiooni, muutmisel [2]

Vaata ka[muuda | redigeeri lähteteksti]

Viited[muuda | redigeeri lähteteksti]