DDR4 SDRAM

Allikas: Vikipeedia
Emblem-important.svg Selles artiklis on õigekeele- või stiilivigu.
Palun aita artiklit keeleliselt parandada.

DDR4 SDRAM (Double Data Rate type Four Synchronous Dynamic Random-Access Memory) on neljanda põlvkonna topeltkiirusega sünkroonne dünaamiline muutmälu. Hetkel on käsil arendusprotsess ning turule jõudmist on oodata 2012. aastal. Tegu on DDR3 SDRAM-i järglasega, mis ei ole tagasiühilduv ühegi varasema muutmälu tüübiga.

DDR4 on dünaamilise muutmälu liidese spetsifikatsioon. Peamisteks eelisteks DDR3 ees on kõrgem taktsagedus, parem andmeedastuskiirus (2.133-4.266Gbps versus 0.800-2.133Gbps[1]) ning madalam toitepinge (1.2-1.05V[1] versus 1.5-1.2V). DDR4 mälude puhul loobutakse kahe ning kolme kanaliga lähenemistest ehk iga kanal mälukontrolleris saab olema ühendatud ühe mooduliga[2]. Serverite juures võidakse kasutada digitaalse kommutaatoriga ühendatud mälupankasid[2].

[redigeeri] Arendus ja turundus

Standardiorganisatsioon JEDEC alustas DDR3-le järglase loomist 2005. aastal[3], ligikaudu 2 aastat enne DDR3 mälude turule jõudmist[4]. Algsete plaanide kohaselt pidi DDR4 mälude üldine ehitus 2008. aastaks määratud saama. Seda kinnitas ka 2007. aastal JEDEC-i Future DRAM tegevusgrupi juht Dong-Yang Lee[5]. Ta ennustus oli, et DDR4 jõuab masstootmise juba 2011/2012 aastal ning kasutab tootmisprotsessis alla 45nm tehnoloogiat. Lõplikku DDR4 spetsifikaati oli oodata 2011. aasta teises pooles, vahetult enne DDR4 müügi algust[6].

Esmast teavet DDR4 kohta avalikustati juba 2007. aastal[7]. Täiendavaid tehnilisi üksikasju jagas külalisesineja Qimondast 2008. aasta augustis San Franciscos toimunud Inteli arendusfoorumil (IDF)[7][8][9]. DDR4 pidi värskete andmete kohaselt kasutama 30nm tehnoloogiat ja 1.2V pinget. 2012. aastal pidid DDR4 mälude kiirused algama 2.133Gbps juurest ning kiiresti jõudma tavakasutajate süsteemides 2.667 gigabitini sekundis. Entusiastidele lubati pakkuda 2013. aastal DDR4-3200 mälusid. Samal aastal pidanuks juba 2667MHz moodulite toitepinge langema 1V peale[8][9].

2010. aasta MemConil Tokyos räägiti uuesti DDR4 mäludest. JEDECi direktori Bill Gervasi esitluse pealkirjaks oli "Aeg ümber mõelda DDR4 suhtes"[10]. Üks slaididest kandis nime: "Uus teekaart: Realistlikum tegevuskava on 2015". Selle tulemusel hakkas internetis levima ekslik informatsioon, et DDR4 tulek on edasi lükatud 2015. aastani[11]. Tegelikult aga sujub kõik endiselt vana ajakava järgi, esimeste testeksemplaride tootmisest teatas Samsung 2011. aasta jaanuaris[12] ning suured tootjad lubasid DDR4 turule paisata juba 2012. aastal[6].

DDR4 peaks ootuste kohaselt saavutama 5% turuosa 2013. aastal ning jõudma 50 protsendini 2015. aastal[6]. Selline turuosa hõivamise periood on võrreldav ajaga, mis kulus DDR3-l turule tulemisest DDR2 seljatamiseni.

2009. aasta veebruaris teatas Samsung, et nad on arendanud ja valideerinud esimesed 40nm DRAM kiibid[13]. See oli "oluline samm" DDR4 suunas, sest teised tootjad alles jõudsid sel ajal 50nm tehnoloogia laialdasema kasutuseni[14]. 2011. aasta jaanuaris teatas Samsung, et on testimiseks tootnud 2GB DDR4 DRAM mooduli kasutades tootmisprotsessi 30nm ja 39nm vahel[15]. Selle mooduli maksimaalne andmeedastuskiirus oli 2133Mbps 1.2V toitepinge juures ning kulutas 40% vähem voolu võrreldes samaväärse DDR3 mooduliga[15].

Kolm kuud hiljem, 2011. aasta aprillis, teatas Hynix 2400MT/s kiirusega 2GB DDR4 moodulite tootmisest. Ülejäänud tehnilistelt näitajatelt sarnanesid moodulid Samsungi omadele (1.2V ning 30nm-39nm). Samuti lisasid nad, et seeriatootmisega alustatakse arvatavasti 2012. aasta teises pooles. 2013.-2014. aasta paiku peaks tootmisprotsessid jõudma alla 30nm taseme[16].

[redigeeri] Kirjeldus

DDR4 juures loobutakse kahe ja kolme kanaliga lähenemisest ehk iga mälukanal saab olema ühendatud vaid ühe mooduliga.

Uued kiibid peaksid ootuste kohaselt kasutama 1.2V või väiksemat toitepinget[1] ning tegema üle kahe miljardi andmeedastuse sekundis. Eelduste järgi turule jõudes on nende kiiruseks 2133MT/s, tulevikus on aga oodata kiiremaid (kuni 4266MT/s[1]) mälusid ning prognoositakse, et juba 2013. aastal võib toitepinge langeda 1.05V peale[17]. Tõenäoliselt esimeste turustatavate DDR4 mälude puhul kasutatakse 32nm-36nm tehnoloogiat[1] ning 4Gbit kive[15].

DDR4 samuti näeb ette muutusi topoloogias. Loobutakse kahe ja kolme kanaliga lähenemisest (mida kasutasid DDR, DDR2 ja DDR3) otseühenduse kasuks, mis tähendab, et iga kanal mälukontrolleris saab olema ühendatud ühe mooduliga[2]. See sarnaneb PCI üleminekuga PCI Expressiks, kus paralleelsus viidi liidese kontrollerisse, mis arvatavasti lihtsustab ajastusi kiiretes andmesiinides[2]. Digitaalsete kommutaatoritega ühendatud mälupangad võidakse serverite juures kasutusele võtta[2].

Minimaalne taktsageduseks sai juttude järgi 2133MT/s seepärast, et DDR3 mälud suutsid juba selle kiiruseni jõuda ning muidu jääduks ilma turustamise eelisest[1]. Samsungi 2011. aasta jaanuaris loodud näidisel Techgage'i hinnangul CAS latentsus 13 tsüklik[12]. See on võrreldav üleminekuga DDR2 pealt DDR3-le[12].

[redigeeri] Viited

  1. ↑ 1,0 1,1 1,2 1,3 1,4 1,5 Shilov, Anton (August 16, 2010). "Next-Generation DDR4 Memory to Reach 4.266GHz – Report". Xbitlabs.com. Välja otsitud 2011-12-18.
  2. ↑ 2,0 2,1 2,2 2,3 2,4 Swinburne, Richard (2010-08-26). "DDR4: What we can Expect". bit-tech.net. Välja otsitud 2011-12-18. – Page 1 – Page 2 – Page 3
  3. ↑ Sobolev, Vyacheslav (2005-05-31). "JEDEC: Memory standards on the way". digitimes.com. Välja otsitud 2011-12-18.
  4. ↑ Valich, Theo (2007-05-02). "DDR3 launch set for May 9th". Välja otsitud 2011-12-18. 
  5. ↑ Hammerschmidt, Christoph (2007-08-29). "Non-volatile memory is the secret star at JEDEC meeting". eetimes.com. Välja otsitud 2011-12-18.
  6. ↑ 6,0 6,1 6,2 "Hynix produces its first DDR4 modules". behardware.com (2011-04-05). Välja otsitud 2011-12-18.
  7. ↑ 7,0 7,1 "DDR4 – the successor to DDR3 memory". The "H" (h-online.com) (2008-08-21). Välja otsitud 2011-12-18.
  8. ↑ 8,0 8,1 Novakovic, Nebojsa (2008-08-19). "Qimonda: ddr3 moving forward". The Inquirer. Välja otsitud 2011-12-18.
  9. ↑ 9,0 9,1 Graham-Smith, Darien (2008-08-19). "IDF: DDR3 won't catch up with DDR2 during 2009". PC Pro. Välja otsitud 2011-12-18.
  10. ↑ Gervasi, Bill. "Time to rethink DDR4". July 2010. Discobolus Designs. Välja otsitud 2011-12-18.
  11. ↑ Nilsson, Lars-Göran (2010-08-16). "DDR4 not expected until 2015". semiaccurate.com. Välja otsitud 2011-12-18.
  12. ↑ 12,0 12,1 12,2 Perry, Ryan (2011-01-06). "Samsung Develops the First 30nm DDR4 DRAM". techgage.com. Välja otsitud 2011-12-18.
  13. ↑ Gruener, Wolfgang (February 4, 2009). "Samsung hints to DDR4 with first validated 40 nm DRAM", tgdaily.com. Välja otsitud 2011-12-18. 
  14. ↑ Jansen, Ng (January 20, 2009). "DDR3 Will be Cheaper, Faster in 2009". dailytech.com. Välja otsitud 2011-12-18.
  15. ↑ 15,0 15,1 15,2 "Samsung Develops Industry's First DDR4 DRAM, Using 30nm Class Technology". Samsung (2011-01-04). Välja otsitud 2011-12-18.
  16. ↑ "Diagram: Anticipated DDR4 timeline". 2010-08-16. PC Watch (Japan). Välja otsitud 2011-12-18.
  17. ↑ "IDF: DDR4 memory targeted for 2012" (in German), hardware-infos.com. Välja otsitud 2011-12-18.  English translation
Välja otsitud andmebaasist "http://et.wikipedia.org/w/index.php?title=DDR4_SDRAM&oldid=2852572"
Personaalsed tööriistad
Nimeruumid

Variandid
Toimingud
Navigeerimiskast
Trüki või ekspordi
Tööriistad
Teistes keeltes