Jõu-bipolaartransistor

Jõu-bipolaartransistori struktuur

Vaade avatud transistorile 2N3055. Kollektor (C)] on ühendatud korpusega

Jõu-bipolaartransistor (inglise keeles power BJT) on bipolaartransistori spetsiaalne versioon, mis on optimeeritud suure võimsuse (kuni mitusada amprit ja kuni umbes 1000 V) lülitamiseks, kusjuures komponendi suurus on kõigest umbes üks kuupsentimeeter. Erinevalt tavalisest bipolaartransistorist on jõutransistoril vertikaalne struktuur, nii et vool saab jaotuda ühtlaselt suurele alale.

Jõu-bipolaarne transistor on nagu ka jõu-MOSFET standardne tööstuslik komponent, mida kasutatakse võimsusvõimendina ja lülitina ning see toimib umbes nagu vooluga juhitav toiteallikas. Seda asendatakse üha enam IGBT-ga, mis on bipolaartransistori ja MOSFETi kombinatsioon.

Ehitus ja talitlus

Jõutransistor peab taluma suurt baasi-kollektori pinget. Transistori kollektor peab seega olema nõrgalt dopeeritud, et ei toimuks laviinläbilööki. Suurem baasi-kollektori pinge suurendab ruumlaengu piirkonda baasis. Seetõttu tuleb suurendada baasi laiust, et vältida transistori läbilööki. Suure baasilaiusega aga kaasneb väiksem vooluvõimendus. Võrreldes nõrga signaali transistoridega, mille vooluvõimendus on vahemikus 100 kuni 1000, on jõu-bipolaartransistoride võimendus ainult 10–100.

Parameetrid

• Suurim lubatud kollektorivool ($I_{\mathrm {Cmax} }$)
• Suurim lubatud kollektoripinge ($U_{\mathrm {CE} }$)
• Suurim lubatud hajuvõimsus ($P_{\mathrm {T} }$)