Ühesiirdeline transistor

Allikas: Vikipeedia
Mine navigeerimisribale Mine otsikasti
n-kanaliga ühesiirde-
transistori tingmärk

Ühesiirdelineline transistor ehk ühesiirdetransistor (lühend UJT inglise keele sõnadest UniJunction Transistor) on tegelikult kahe baasiga diood.

Suure takistusega aluskristalli on formeeritud üks pn-siire, millest väljub emitteri viik (E) ja kaks baasiviiku (B1, B2). Niisuguse seadise pinge-voolu tunnusjoonel on negatiivse takistusega osa (nagu näiteks tunneldioodil). See võimaldab luua lihtsaid impulsigeneraatoreid, näiteks türistoride tüürimpulsside kujundamiseks.[1]

Viited[muuda | muuda lähteteksti]

  1. Lembit Abo (1997). Elektroonikakomponendid. Tallinn. Lk 37.