Bipolaartransistor

Allikas: Vikipeedia
Pnp-tüüpi transistor
(~) - signaaliallikas
R - koormustakisti, millele rakendadakse võimendatud signaal

Bipolaartransistor on vooluga juhitav transistor, mis koosneb kolmest auk- ja elektronjuhtivusega kihist ning kahest nendevahelisest pn-siirdest.[1]

Bipolaartransistori tööks on vajalik kahesuguste laengukandjate, niihästi elektronide kui aukude olemasolu pooljuhis.[1]

Keskmist ala nimetatakse alati baasiks. Emitter ja kollektor on alati baasi otstel. Emitterit läbib kogu kasutatav vool; osa sellest läheb välja baasi kaudu, mis on üldjuhul tüüriv vool, ja osa kollektori kaudu, mis on üldjuhul tüüritav vool.

Bipolaartransistori saab panna kolme lülitusse: on olemas ühise emitteriga, ühise kollektoriga ja ühise baasiga lülitus. Esimene neist on kõige kasutatavam, sest see tagab suure võimendusteguri. Ühise kollektoriga lülitus on spetsiifilisem (emitterijärgur). Ühise baasiga lülitus on sageli kasutusel raadiotehnikas, sest võimaldab kõrgemaid sagedusi kasutada.

Ühe pn-siirde, näiteks emittersiirde, voolu muutumine põhjustab teise siirde, sel juhul kollektorsiirde takistuse muutumise.[1]

Bipolaartransistori pooljuhtstruktuur koosneb tavaliselt germaaniumist või ränist.[1]

Bipolaartransistori leiutasid 1947. aasta detsembris John Bardeen ja Walter Brattain William Schockley juhtimisel ettevõttes Bell Telephone Laboratories. Selle leiutise eest pälvisid kõik kolm meest 1956. aasta Nobeli füüsikapreemia. Bardeen on ainus, kes pälvinud Nobeli füüsikapreemia kahel korral: teist korda sai ta selle 1972 ülijuhtivust käsitleva BCS teooria väljatöötamise eest.

Viited[muuda | redigeeri lähteteksti]

  1. 1,0 1,1 1,2 1,3 Tehnikaleksikon, lk. 525

Välislingid[muuda | redigeeri lähteteksti]