Français : l'intérieur d'un module (bras de pont, c'est-à-dire une moitié de pont en H) IGBT 400 A/ 600 V, technologie PT, incluant 2 × 2 IGBT en parallèle et 2 × 2 diodes en parallèle ainsi que les circuits de protection de gate et de surintensité.
Autoriõiguse omanikuna avaldan selle teose järgmiste litsentside all:
Luba on antud selle dokumendi kopeerimiseks, avaldamiseks ja/või muutmiseks GNU Vaba Dokumentatsiooni Litsentsi versiooni 1.2 või hilisema Vaba Tarkvara Fondi avaldatud versiooni tingimuste alusel; muutumatute osadeta, esikaane tekstideta ja tagakaane tekstideta. Sellest loast on lisatud koopia leheküljel pealkirjaga "GNU Free Documentation License".http://www.gnu.org/copyleft/fdl.htmlGFDLGNU Free Documentation Licensetruetrue
omistamine – Pead materjali sobival viisil autorile omistama, tooma ära litsentsi lingi ja märkima ära, kas on tehtud muudatusi. Sobib, kui teed seda mõistlikul viisil, kuid seejuures ei tohi jääda muljet, et litsentsiandja tõstab esile sind või seda, et sina materjali kasutad.
sarnaselt jagamine – Kui töötled, kujundad ümber või arendad materjali edasi, siis pead oma töö levitamiseks kasutama sama litsentsi, mille all on algupärand, või ühilduvat litsentsi.
{{Information |Description=L'intérieur d'un module (bras de pont) IGBT 400 A / 600 V, technologie PT, incluant 2 x 2 IGBT et 2 x 2 diodes ainsi que les circuits de protection de gate et de surintensité. |Source=travail personnel |Date=septembre 2007 |Au