Aseskeem: erinevus redaktsioonide vahel
Resümee puudub |
Resümee puudub |
||
| 1. rida: | 1. rida: | ||
'''Aseskeem''' ehk [[ekvivalentskeem]] on [[Elektriline|elektrilist]]<nowiki/>e ja [[Elektroonsed komponendid|elektroonsete komponentide]] puhul kasutatav skeem, mida kasutatakse skeemitehnilise projekteerimise ja elektriliste omaduste analüüsi juures, milles on põhilisele komponendile lisaks sisse viidud mitmesuguste füüsikaliste nähtuste toimet arvesse võtvad täiendavad elemendid. |
'''Aseskeem''' ehk [[ekvivalentskeem]] on [[Elektriline|elektrilist]]<nowiki/>e ja [[Elektroonsed komponendid|elektroonsete komponentide]] puhul kasutatav skeem, mida kasutatakse skeemitehnilise projekteerimise ja elektriliste omaduste analüüsi juures, milles on põhilisele komponendile lisaks sisse viidud mitmesuguste füüsikaliste nähtuste toimet arvesse võtvad täiendavad elemendid. |
||
Tüüpilisteks aseskeemi näideteks on [[induktiivpool]]<nowiki/>i ja [[kondensaator]]<nowiki/>i aseskeemid.<br> |
Tüüpilisteks aseskeemi näideteks on [[induktiivpool]]<nowiki/>i ja [[kondensaator]]<nowiki/>i aseskeemid.<br> |
||
| 6. rida: | 6. rida: | ||
Keerukamad on aktiivsete analoogelementide aseskeemid ([[transistor]] lineaarses rezhiimis, [[operatsioonvõimendi]] lineaarses rezhiimis). |
Keerukamad on aktiivsete analoogelementide aseskeemid ([[transistor]] lineaarses rezhiimis, [[operatsioonvõimendi]] lineaarses rezhiimis). |
||
Väga keerukad on bioloogiliste objektide aseskeemid (vt. [[elektriline bioimpedants]]). |
|||
Redaktsioon: 3. mai 2018, kell 03:45
Aseskeem ehk ekvivalentskeem on elektriliste ja elektroonsete komponentide puhul kasutatav skeem, mida kasutatakse skeemitehnilise projekteerimise ja elektriliste omaduste analüüsi juures, milles on põhilisele komponendile lisaks sisse viidud mitmesuguste füüsikaliste nähtuste toimet arvesse võtvad täiendavad elemendid.
Tüüpilisteks aseskeemi näideteks on induktiivpooli ja kondensaatori aseskeemid.
Induktiivpooli puhul lisandub lihtsaimas aseskeemis induktiivsusele L temaga järjestikku jääv pooli aktiivtakistus r. Kõrgemate sageduste jaoks lisandub täiendava komponendina pooli konstruktiivset mahtuvust arvestav paralleelne mahtuvus Cp.
Kondensaatorite puhul lisandub aseskeemi täiendava komponendina dieletrilist kadu arvestav paralleeltakistus Rp. Mõnel juhul tuleb arvesse hoopis läbi dielektriku toimuvat leket arvestav paralleelne lekketakistus.
Keerukamad on aktiivsete analoogelementide aseskeemid (transistor lineaarses rezhiimis, operatsioonvõimendi lineaarses rezhiimis).
Väga keerukad on bioloogiliste objektide aseskeemid (vt. elektriline bioimpedants).