Komplekstakistuse mõõtur: erinevus redaktsioonide vahel

Eemaldatud sisu Lisatud sisu

Reasisene

Redaktsioon: 21. aprill 2018, kell 11:02

Komplekstakistuse mõõtur on vahend kaksklemmi elektrilise komplekstakistuse ehk vahelduvvoolutakistuse Ż parameetrite mõõtmiseks.

Elektroonses mõõtetehnikas on levinuim lahendus komplekstakistuse Ż=R+jX=Ze^jΦ reaalosa R ja imaginaarosa X mõõtmine faasitundlike vahendite abil, näiteks sünkroondetekteerimise teel. Vähem kasutatakse mooduli Z ja faasi Φ mõõtmist, näiteks voltmeetri ja fasomeetri abil.

Siinjuures on komplekstakistuse Ż kui vektorsuuruse parameetrite jaoks kehtivad järgmised üleminekuseosed:
Z=sqrt(R²+X²) ja Φ=arctan(X/R);
R=Z·cosΦ ja X=Z·sinΦ.

Komplekstakistuse parameetrid on reeglina sagedusest sõltuvad.
Puhtalt kompleksne mahtuvustakistus sõltub sagedusest pöördvõrdeliselt:
X_C=1/ωC.
Puhtalt kompleksne induktiivtakistus sõltub sagedusest võrdeliselt:
X_L=ωL.

Induktiivsuse L ja mahtuvuse C mõõtmise seadmete (LCR-mõõturid) puhul on tihti eeldatud, et teised takistuse komponendid (nö. parasiitkomponendid) praktiliselt puuduvad. Reaalsete reaktiivkomponentide puhul see nii alati ei ole.

Reaalsete induktiivpoolide puhul on nendeks komponentideks pooli mähise aktiivtakistus, mis ilmneb pooli aseskeemis järjestiktakistusena r, ja parasiitne mahtuvus, mis ilmneb paralleelmahtuvusena C_p. Kondensaatorite puhul ilmub aseskeemi dielektrilist kadu iseloomustav paralleelne kaotakistus R_p. Kõrgetel sagedustel võivad nende aseskeemidesse lisanduda veel teisedki parasiitsed elemendid.

Analoogiliselt võivad reaktiivsed parasiitkomponendid põhjustada probleeme oma olemuselt aktiivtakistusliku komponendi R mõõtmisel.

@@ 1. rida: / 1. rida: @@
-'''Komplekstakistuse mõõtur''' on vahend [[kaksklemm]]<nowiki/>i [[Elektriline komplekstakistus|elektrilise komplekstakistuse]] ehk [[vahelduvvoolutakistus]]<nowiki/>e Ż parameetrite mõõtmiseks.
+'''Komplekstakistuse mõõtur''' on vahend [[kaksklemm]]i [[Elektriline komplekstakistus|elektrilise komplekstakistuse]] ehk [[vahelduvvoolutakistus]]e Ż parameetrite mõõtmiseks.
-[[Elektroonne mõõtetehnika|Elektroonses mõõtetehnikas]] on levinuim lahendus [[komplekstakistus]]<nowiki/>e Ż=R+jX=Ze<sup>j&Phi;</sup> reaalosa R ja imaginaarosa X mõõtmine [[faasitundlik]]<nowiki/>e vahendite abil, näiteks [[Sünkroondetekteerimine|sünkroondetekteerimise]] teel. Vähem kasutatakse mooduli Z ja faasi &Phi; mõõtmist, näiteks [[Voltmeeter|voltmeetri]] ja [[Fasomeeter|fasomeetr]]<nowiki/>i abil.
+[[Elektroonne mõõtetehnika|Elektroonses mõõtetehnikas]] on levinuim lahendus [[komplekstakistus]]<nowiki/>e Ż=R+jX=Ze<sup>j&Phi;</sup> reaalosa R ja imaginaarosa X mõõtmine [[faasitundlik]]<nowiki/>e vahendite abil, näiteks [[Sünkroondetekteerimine|sünkroondetekteerimise]] teel. Vähem kasutatakse mooduli Z ja faasi &Phi; mõõtmist, näiteks [[Voltmeeter|voltmeetri]] ja [[Fasomeeter|fasomeetri]] abil.
-Siinjuures on komplekstakistuse Ż kui [[vektorsuurus]]<nowiki/>e parameetrite jaoks kehtivad järgmised üleminekuseosed:<br>
+Siinjuures on komplekstakistuse Ż kui [[vektorsuurus]]e parameetrite jaoks kehtivad järgmised üleminekuseosed:<br>
 Z=sqrt(R<sup>2</sup>+X<sup>2</sup>) ja &Phi;=arctan(X/R);<br>
 R=Z&middot;cos&Phi; ja X=Z&middot;sin&Phi;.
-Komplekstakistuse parameetrid on reeglina [[sagedus]]<nowiki/>est sõltuvad.<br>
+Komplekstakistuse parameetrid on reeglina [[sagedus]]est sõltuvad.<br>
 Puhtalt kompleksne mahtuvustakistus sõltub sagedusest pöördvõrdeliselt:<br>
 X<sub>C</sub>=1''/''&omega;C.<br>
@@ 13. rida: / 13. rida: @@
 X<sub>L</sub>=&omega;L.
-Induktiivsuse L ja mahtuvuse C mõõtmise seadmete ([[LCR-mõõtur]]<nowiki/>id) puhul on tihti eeldatud, et teised takistuse komponendid (nö. [[parasiitkomponendid]]) praktiliselt puuduvad. Reaalsete reaktiivkomponentide puhul see nii alati ei ole.
+Induktiivsuse L ja mahtuvuse C mõõtmise seadmete ([[LCR-mõõtur]]id) puhul on tihti eeldatud, et teised takistuse komponendid (nö. [[parasiitkomponendid]]) praktiliselt puuduvad. Reaalsete reaktiivkomponentide puhul see nii alati ei ole.
-Reaalsete [[induktiivpool]]<nowiki/>ide puhul on nendeks komponentideks pooli mähise aktiivtakistus, mis ilmneb pooli [[aseskeem]]<nowiki/>is järjestiktakistusena r, ja parasiitne mahtuvus, mis ilmneb paralleelmahtuvusena C<sub>p</sub>. Kondensaatorite puhul ilmub [[aseskeem]]<nowiki/>i dielektrilist kadu iseloomustav paralleelne kaotakistus R<sub>p</sub>. Kõrgetel sagedustel võivad nende aseskeemidesse lisanduda veel teisedki parasiitsed elemendid.
+Reaalsete [[induktiivpool]]ide puhul on nendeks komponentideks pooli mähise aktiivtakistus, mis ilmneb pooli [[aseskeem]]<nowiki/>is järjestiktakistusena r, ja parasiitne mahtuvus, mis ilmneb paralleelmahtuvusena C<sub>p</sub>. Kondensaatorite puhul ilmub [[aseskeem]]i dielektrilist kadu iseloomustav paralleelne kaotakistus R<sub>p</sub>. Kõrgetel sagedustel võivad nende aseskeemidesse lisanduda veel teisedki parasiitsed elemendid.
 Analoogiliselt võivad reaktiivsed parasiitkomponendid põhjustada probleeme oma olemuselt aktiivtakistusliku komponendi R mõõtmisel.