Komplekstakistuse mõõtur: erinevus redaktsioonide vahel
Resümee puudub |
Resümee puudub |
||
| 7. rida: | 7. rida: | ||
R=Z·cosΦ ja X=Z·sinΦ. |
R=Z·cosΦ ja X=Z·sinΦ. |
||
Komplekstakistuse parameetrid on reeglina [[sagedus]]<nowiki/>est sõltuvad.<br> |
Komplekstakistuse parameetrid on reeglina [[sagedus]]<nowiki/>est sõltuvad.<br> |
||
Puhtalt kompleksne mahtuvustakistus sõltub sagedusest pöördvõrdeliselt:<br> |
Puhtalt kompleksne mahtuvustakistus sõltub sagedusest pöördvõrdeliselt:<br> |
||
X<sub>C</sub>=1/ωC.<br> |
X<sub>C</sub>=1''/''ωC.<br> |
||
Puhtalt kompleksne induktiivtakistus sõltub sagedusest võrdeliselt:<br> |
Puhtalt kompleksne induktiivtakistus sõltub sagedusest võrdeliselt:<br> |
||
X<sub>L</sub>=ωL. |
X<sub>L</sub>=ωL. |
||
Induktiivsuse L ja mahtuvuse C mõõtmise seadmete ([[LCR-mõõtur]]<nowiki/>id) puhul on tihti eeldatud, et teised takistuse komponendid (nö. [[parasiitkomponendid]]) praktiliselt puuduvad. Reaalsete reaktiivkomponentide puhul see nii alati ei ole. |
|||
Reaalsete [[induktiivpool]]<nowiki/>ide puhul on nendeks komponentideks pooli mähise aktiivtakistus, mis ilmneb pooli aseskeemis järjestiktakistusena r, ja parasiitne mahtuvus, mis ilmneb paralleelmahtuvusena C<sub>p</sub>. Kondensaatorite puhul ilmub aseskeemi dielektrilist kadu iseloomustav paralleelne kaotakistus R<sub>p</sub>. Kõrgetel sagedustel võivad nende aseskeemidesse lisanduda veel teisedki parasiitsed elemendid. |
|||
Redaktsioon: 21. aprill 2018, kell 02:07
Komplekstakistuse mõõtur on vahend kaksklemmi elektrilise komplekstakistuse ehk vahelduvvoolutakistuse Ż parameetrite mõõtmiseks.
Elektroonses mõõtetehnikas on levinuim lahendus komplekstakistuse Ż=R+jX=ZejΦ reaalosa R ja imaginaarosa X mõõtmine faasitundlike vahendite abil, näiteks sünkroondetekteerimise teel. Vähem kasutatakse mooduli Z ja faasi Φ mõõtmist, näiteks voltmeetri ja fasomeetri abil.
Siinjuures on komplekstakistuse Ż kui vektorsuuruse parameetrite jaoks kehtivad järgmised üleminekuseosed:
Z=sqrt(R2+X2) ja Φ=arctan(X/R);
R=Z·cosΦ ja X=Z·sinΦ.
Komplekstakistuse parameetrid on reeglina sagedusest sõltuvad.
Puhtalt kompleksne mahtuvustakistus sõltub sagedusest pöördvõrdeliselt:
XC=1/ωC.
Puhtalt kompleksne induktiivtakistus sõltub sagedusest võrdeliselt:
XL=ωL.
Induktiivsuse L ja mahtuvuse C mõõtmise seadmete (LCR-mõõturid) puhul on tihti eeldatud, et teised takistuse komponendid (nö. parasiitkomponendid) praktiliselt puuduvad. Reaalsete reaktiivkomponentide puhul see nii alati ei ole.
Reaalsete induktiivpoolide puhul on nendeks komponentideks pooli mähise aktiivtakistus, mis ilmneb pooli aseskeemis järjestiktakistusena r, ja parasiitne mahtuvus, mis ilmneb paralleelmahtuvusena Cp. Kondensaatorite puhul ilmub aseskeemi dielektrilist kadu iseloomustav paralleelne kaotakistus Rp. Kõrgetel sagedustel võivad nende aseskeemidesse lisanduda veel teisedki parasiitsed elemendid.