Gunni diood

Allikas: Vikipeedia
Gunni diood

Gunni diood ehk Gunni element on pooljuhtseadis mikrolainete tekitamiseks ja võimendamiseks.

Seadise nimetamine dioodiks on tinglik, sest tema talitlus ei põhine mitte siirde omadustel, vaid negatiivsel diferentsiaaltakistusel. Dioodi nimetust õigustab see, et seadisel on nagu tavalisel dioodilgi pluss- ja miinuselektrood ‒ anood ja katood.

Gunni diood koosneb galliumarseniidi (GaAs) või galliumnitriidi (GaN) kihtidest: need kihid on kõik n-juhtivusega, kuid legeeritud erineva tugevusega (legeerimine seisneb sobivate lisandainete manustamises eesmärgiga tekitada vabu laengukandjaid, vaadeldaval juhul elektrone).

Dioodi pingestamisel tekib kõige suurem pingelang keskmisel, nõrgalt legeeritud kihil, kus ilmnebki negatiivne diferentsiaaltakistus: pinge tõustes elektronide liikuvus mitte ei suurene, vaid väheneb; vastavalt väheneb ka dioodi läbiv vool.[1] GaAs-dioodid on võimelised genereerima sagedusi kuni 140 GHz ja GaN-dioodid kuni 3000 GHz (gigahertsi).

Gunni generaator on lihtsa ehitusega, koosnedes Gunni elemendist ja õõsresonaator-võnkeringist. Ta muundab energiat võrdlemisi tõhusalt, genereeritav võimsus piirdub sadade millivattidega. Gunni generaatoreid kasutatakse mikrolainete saatjana andmeedastustehnikas, miniatuursetes radarseadmetes ja amatöörraadiosides.

Viited[muuda | redigeeri lähteteksti]