Grafeen

Allikas: Vikipeedia
Grafeeni ideaalne kristalliline struktuur
Grafeeni kihid grafiidis

Grafeen on ainult süsiniku aatomitest koosnev ühe aatomi paksune planaarne leht, milles süsiniku aatomid on heksagonaalselt pakitud kärjekujulisse raamistikku.

Grafeeni võib vaadelda lõputult suure aromaatse molekulina, mille moodustavad ainult sp² süsiniku aatomid. Grafeen on süsiniku allotroopne vorm, kusjuures selle struktuurielemendid esinevad mitmetes teistes süsiniku allotroopsetes teisendites nagu grafiit, süsiniknanotorud ja fullereenid. Nimetus on tuletatud sõnadest grafiit + -een.

Grafeenis on süsiniku aatomite vahel konjugeeritud sidemed, see tähendab et esineb valentselektronide delokalisatsioon üle kogu süsteemi, mis suurendab selle stabiilsust ja alandab üldist energiat. C–C sideme pikkus grafeenis on 0,142 nm ja 7 miljonit grafeeni lehte moodustaksid vaid 1 mm paksuse kihi. Tulenevalt struktuurist on grafeenil rida erilisi omadusi, millest kõige olulisemad on grafeeni lehe vastupidavus ja suurepärane elektrijuhtivus.

2010. aastal said Andrei Geim ja Konstantin Novosjolov Nobeli füüsikaauhinna kahemõõtmelise materjali grafeeniga seotud põhjapanevate eksperimentide eest.

Ajalugu ja eksperimentaalne avastamine[muuda | redigeeri lähteteksti]

Termin "grafeen" võeti kasutusele 1987. aastal, et kirjeldada grafiidiliistakut kui grafiidiühendist (Graphite Intercalation Compound ehk GIC) ühte koostisosa. GIC on kristalliline sool, mille molekulivalem on XCy , kus X tähistab mingisugust ainet ja C süsinikku, mis on aine X vahel (näiteks KC8). Grafeeni termin oli kasutusel ka varajastes süsiniknanotorude ja epitaksiaalse grafeeni kirjeldustes. Ühekihilisi grafiidiliistakuid on tehtud alates 1970. aastast, neid kasvatati epitaksiaalselt metallide peale. "Epitaksiaalne grafeen" koosneb ühe aatomi paksusest heksagonaalsest võrest, milles süsiniku aatomeid hoiavad koos sp2-sidemed. Õhukesi grafiidiliistakud on ka uuritud läbivalgustava elektronmikroskoobiga (TEM) – nähti, et liistakute sisemus on kihistunud. [1] Grafeeni uuriti teoreetiliselt juba 1940. aastatel, et kirjeldada erinevate süsinikku sisaldavate materjalide omadusi. Teoreetiliste arvutuste käigus lähtuti grafeeni mudelist. Hiljem avastati, et grafeen ei saa vabas vormis eksisteerida, kuid[2]</nowiki> 2004. aastal avastasid professor Andre Geim ja Konstantin Novoselov Manchesteri Ülikoolist, et grafeeni saab eraldada grafiidiliistakutest tavalise kleeplindi abil. Sellist grafeeni saamise viisi hakati nimetama mikromehaaniliseks lõhestamiseks.[3]

Omadused[muuda | redigeeri lähteteksti]

Grafeeni-polüpürooli kile, mis on ennast kokku rullinud. Skaneeriva elektronmikroskoobi pilt, Tartu Ülikool.
Grafeeni kasvatusel tekkinud defekt.

Grafeen on meekärjekujuline planaarne allotroop, kus on sp2- sidemed.[4] Sideme pikkused grafeenis on umbes 0,142 nanomeetrit. Grafeeni kihid järjestuvad grafiidiks ja nende vahele jääb 0,335 nanomeetrit. Grafeen kui üheaatomiline süsinikukiht on suurepärane elektri- ja soojusjuht.

Elektroonilised[muuda | redigeeri lähteteksti]

Grafeen erineb kolmemõõtmelistest materjalidest ja sellel on null-keelutsooniga pooljuhi omadusi. 1947. aastal avastas P.R. Wallace, et energia impulsi seos (dispersiooniseos) on lineaarne madalatel energiatel just kuusnurga tippude juures. See viis ta järeldusele, et elektronide ja aukude efektiivne mass on null. [5]

Termilised[muuda | redigeeri lähteteksti]

Grafeenil on väga suur soojusmahtuvus. Toatemperatuuril mõõdetud soojusmahtuvus varieerub (4,84±0,44) × 103 kuni (5,30±0,48) × 103 W•m−1•K−1.

Mehaanilised[muuda | redigeeri lähteteksti]

2009. aastal nimetati grafeen kõige tugevamaks materjaliks. Mõõtetulemused näitasid, et grafeeniliistak on 100 korda tugevam kui teraseliistak samade mõõtmete korral. Grafeeni elastsusmoodul on 1 TPa (1012 Pa).[6] Kuigi grafeen on tugev materjal, ei ole veel lahendust, kuidas seda tööstuslikult ja suurtes kogustes toota. Grafeen on väga kerge – kaalub kõigest 0,77 milligrammi ruutmeetri kohta. Guoxiu Wang Sydney ülikoolist töötas välja grafeenpaberi (GP), mida saab modifitseerida erinevateks kujudeks ja taastada selle esialgne olek. Teadlased peenestasid, puhastasid ja filtreerisid grafiiti erinevate kemikaalidega, et muuta grafiit nanostruktuurseks, mida hiljem töödeldakse paberiliistakuteks. Juhtiv uurija Ali Reza Ranijbartoreh väitis, et selline paberilaadne grafeeniliistak on mitte ainult kerge ja tugev, vaid ka elastsem kui teras.

Optilised[muuda | redigeeri lähteteksti]

Grafeeni unikaalne omadus on vähene valguse neelamine. Ühe aatomi paksune grafeenikiht neelab kõigest 2,3% valgust.

Grafeeni vormid[muuda | redigeeri lähteteksti]

Kahe aatomi paksune grafeen[muuda | redigeeri lähteteksti]

Kahe aatomi paksune grafeen koosneb kahest grafeenikihist, mis asetsevad üksteise peal. Kahe aatomi paksune grafeen on näidanud selliseid huvitavaid elektrilisi omadusi nagu kvant-Halli efekt.

Kolmemõõtmeline grafeen[muuda | redigeeri lähteteksti]

2013. aastal avastati kolmemõõtmeline heksagonaalselt järjestatud grafeen.

Grafeeni saamine[muuda | redigeeri lähteteksti]

Mikromehaaniline lõhestamine[muuda | redigeeri lähteteksti]

Sageli kutsutakse mikromehaanilist lõhestamise meetodit ka teibimeetodiks. Selle meetodi käigus kasutatakse HOPG-i (kõrgorienteertud püroliitiline grafiit), teipi ja SIO2(ränioksiidi) alust, kuhu grafeen peale kantakse. HOPG-i pinnale kleebitakse korduvalt ühte ja sama kleeplinti ning selle tulemusel jääb kleeplindi külge hulgaliselt grafiidiliistakuid. Seejärel kleebitakse teip SiO2 alusele. SiO2 alusele kinni jäänud liistakud ei pruugi olla ühekihilised, mistõttu tuleb otsida nende seast välja ühe aatomi paksused liistakud. Sel viisil saadud grafeenikristalliidid võivad olla kuni 100 mikromeetri suurused. [7] [8]

Keemiline sadestus aurufaasist (CVD)[muuda | redigeeri lähteteksti]

Kuna grafeeni on raske kasvatada suurtele pindadele, mõeldi välja uus ja küllaltki tõhus meetod. Selleks tehnoloogiaks on keemiline sadestamine aurufaasist (CVD). CVD protseduur on suhteliselt keeruline, kuid selle töötlemisviisiga valmistatud grafeen on üsna hea kvaliteediga. CVD meetodiga kasvatatakse grafeeni peamiselt metallidele: nikkel- ja vaskfooliumist alustele. Kasvatus toimub reaktoris, mis koosneb gaaside edastamise süsteemist, vaakumpumbast, reaktori südamikust (kuhu gaasid edastatakse) ja kõrge temperatuuriga ahjust, mis asetseb reaktori ümber. Et reaktsioon toimuks, on vaja süsteemi viia vajalikud lähteained, mis on gaasifaasis. Põhiliselt kasvatatakse grafeeni kolme gaasi – metaani, vesiniku ja argooni – abil. Gaasid on suunatud teatud kontsentratsiooniga kõrge temperatuuriga reaktorisse, kus hakkab toimuma keemiline reaktsioon, mis koosneb neljast etapist: [9] [10]

CH4-> CH3 + H

CH3 -> CH2 + H

CH2->CH + H

 CH -> C + H [11]

Reaktsiooni käigus eralduvad ka kõrvalproduktid, mis pumbatakse vaakumpumbaga välja. [12]

Ränikarbiidi termiline lagundamine[muuda | redigeeri lähteteksti]

Grafeeni saab toota ka ränikarbiidi (SiC) lagundades. Ränikarbiid kuumutatakse vaakumis (rõhul ~ 10 −6 torri) kõrgele temperatuurile (üle 1100 °C), kus ränikarbiid hakkab lagunema ja hiljem moodustavad süsiniku aatomid grafeeni.

Grafiitoksiidi redutseerimine[muuda | redigeeri lähteteksti]

Grafiitoksiidi redutseerumist kasutati tõenäolisest kõige esimese meetodina grafeeni sünteesiks. Töötlemisviisi põhimõtteks on kiiresti kuumutada grafiitoksiid kõrgele temperatuurile, kus saadakse dispergeenne süsinikupulber. Saadud süsinikupulbris leidub väga väike kogus grafeeni ja saadud grafeen on väga madala kvaliteediga võrreldes mehaanilise lõhestamise teel saadud grafeeniga.

Grafeeni potentsiaalsed rakendusvaldkonnad[muuda | redigeeri lähteteksti]

Mõned potentsiaalsed grafeeni rakendusvaldkonnad on juba arenemas ja palju on veel tulemas. Grafeeni saaks kasutada näiteks kergete, õhukeste ja vastupidavate kuvarite, elektriahelate ja päikesepaneelide valmistamiseks. [13]

Integreeritud vooluring[muuda | redigeeri lähteteksti]

Grafeenil on suurepärased omadused, et koostada sellest integreeritud vooluring, kuna grafeenil on kõrge elektrijuhtivus. Kuid probleemiks on see, et selliseid grafeeniliistakuid on väga raske teha. Teadlased otsivad uusi tõhusaid meetodeid, kuidas saaks grafeeniliistakuid üle kanda nende esialgsest kasvatusalusest SiO2 (ränioksiid) -alustele.[14] 2008. aastal valmistati grafeenist maailma kõige väiksem kiip, mis on kõigest ühe aatomi paksune ja kümne aatomi laiune.[15]

Läbipaistvad elektroodid[muuda | redigeeri lähteteksti]

Kuna grafeenil on väga hea elektrijuhtivus ja ta on peaaegu läbipaistev, võib sellest saada uus materjal puutetundlike ekraanide, vedelkristallkuvarite ja orgaaniliste valgusdioodide valmistamiseks.[16]

Päikesepatareid[muuda | redigeeri lähteteksti]

Väga hea elektrijuhtivuse ja läbipaistvuse tõttu saab grafeenist teha ka päikesepatareisid. Ühe aatomi paksune grafeeniliistak on null-keelutsooniga pooljuht, mille laengud on delokaliseeritud kogu pinna suhtes ja laengu hajumist ei toimu. Samuti neelab grafeen ainult 2,3% valgust ja ülejäänud 97,7% peegeldub.[17]

Ultrakondensaatorid[muuda | redigeeri lähteteksti]

Tänu massi ja pindala suhtele saaks teha grafeenist ka juhtivaid plaate, millest omakorda valmistada ultrakondensaatoreid. Usutakse, et grafeenist võib valmistada kõige suurema mahtuvusega kondensaatoreid.[18]

Lisand jahutusvedelikus[muuda | redigeeri lähteteksti]

Suure soojusjuhtivuse tõttu on grafeeni võimalik kasutada lisandina jahutusvedelikus. Esialgsed uuringud on näidanud, et 5%-line grafeenisisaldus vedelikus suurendab jahutusvedeliku soojusjuhtivust 86%. [19]

Etanooli destilleerimine[muuda | redigeeri lähteteksti]

Grafeenoksiidi membraanid lasevad läbi veeauru, kuid on näidatud, et kõik muud vedelikud ja gaasid, kaasa arvatud heelium, membraanist läbi ei lähe.[20] Seda meetodit on kasutatud viina destilleerimiseks, et suurendada alkoholi kontsentratsiooni, ilma et rakendataks soojust või vaakumit, mis on tavalise destilleerimise puhul vajalik.[21] Selle meetodi edasiarendamine ja turustamine võib luua revolutsiooni biokütuse ja alkohoolsete jookide tootmises.

Vaata ka[muuda | redigeeri lähteteksti]

Viited[muuda | redigeeri lähteteksti]

  1. Meyer, J. et al. (2007). "The structure of suspended graphene sheets". Nature 446 (7131): 60–63
  2. THE RISE OF GRAPHENE,A.K. Geim and K.S. Novoselov
Manchester Centre for Mesoscience and Nanotechnology, University of Manchester, Oxford Road M13 9PL, United Kingdom</span> </li> <li id="cite_note-3"><span class="mw-cite-backlink">[[#cite_ref-3|↑]]</span> <span class="reference-text">Graphene: Characterization After Mechanical Exfoliation Charlotte Reeves Research Advisor: R. A. Lukaszew </span> </li> <li id="cite_note-4"><span class="mw-cite-backlink">[[#cite_ref-4|↑]]</span> <span class="reference-text">THE RISE OF GRAPHENE,A.K. Geim and K.S. Novoselov
Manchester Centre for Mesoscience and Nanotechnology, University of Manchester, Oxford Road M13 9PL, United Kingdom</span> </li> <li id="cite_note-5"><span class="mw-cite-backlink">[[#cite_ref-5|↑]]</span> <span class="reference-text">Wallace, P. R. (1947). "The Band Theory of Graphite". Physical Review 71 (9): 622</span> </li> <li id="cite_note-6"><span class="mw-cite-backlink">[[#cite_ref-6|↑]]</span> <span class="reference-text">Lee, C. et al. (2008). "Measurement of the Elastic Properties and Intrinsic Strength of Monolayer Graphene". Science 321 (5887): 385–8</span> </li> <li id="cite_note-7"><span class="mw-cite-backlink">[[#cite_ref-7|↑]]</span> <span class="reference-text">Mikhail I. Katsnelson Graphene: carbon in two dimensions. Institute for Molecules and Materials, Radboud University Nijmegen, 6525 ED Nijmegen, The Netherlands </span> </li> <li id="cite_note-8"><span class="mw-cite-backlink">[[#cite_ref-8|↑]]</span> <span class="reference-text">Graphene: Exploring carbon flatland Andrey K. Geim and Allan H. MacDonald </span> </li> <li id="cite_note-9"><span class="mw-cite-backlink">[[#cite_ref-9|↑]]</span> <span class="reference-text">Chemical Vapor Deposition of Graphene Congqin Miao, Churan Zheng, Owen Liang and Ya-Hong Xie University of California, Los Angeles United States </span> </li> <li id="cite_note-10"><span class="mw-cite-backlink">[[#cite_ref-10|↑]]</span> <span class="reference-text">First-Principles Thermodynamics of Graphene Growth on Cu Surfaces Wenhua Zhang, Ping Wu, Zhenyu Li,* and Jinlong Yang </span> </li> <li id="cite_note-11"><span class="mw-cite-backlink">[[#cite_ref-11|↑]]</span> <span class="reference-text">First-Principles Thermodynamics of Graphene Growth on Cu Surfaces Wenhua Zhang, Ping Wu, Zhenyu Li,* and Jinlong Yang Hefei National Laboratory for Physical Sciences at Microscale, University of Science and Technology of China, Hefei 230026, China </span> </li> <li id="cite_note-12"><span class="mw-cite-backlink">[[#cite_ref-12|↑]]</span> <span class="reference-text">Chemical Vapor Deposition of Graphene Congqin Miao, Churan Zheng, Owen Liang and Ya-Hong Xie University of California, Los Angeles United States </span> </li> <li id="cite_note-13"><span class="mw-cite-backlink">[[#cite_ref-13|↑]]</span> <span class="reference-text">Chen, J., Ishigami, M., Jang, C., Hines, D. R., Fuhrer, M. S., and Williams, E. D. (2007). "Printed graphene circuits". Advanced Materials 19 (21): 3623–3627</span> </li> <li id="cite_note-14"><span class="mw-cite-backlink">[[#cite_ref-14|↑]]</span> <span class="reference-text">Chen, J., Ishigami, M., Jang, C., Hines, D. R., Fuhrer, M. S., and Williams, E. D. (2007). "Printed graphene circuits". Advanced Materials 19 (21): 3623–3627</span> </li> <li id="cite_note-15"><span class="mw-cite-backlink">[[#cite_ref-15|↑]]</span> <span class="reference-text">Ponomarenko, L. A. et al. (2008). "Chaotic Dirac Billiard in Graphene Quantum Dots". Science 320 (5874): 356–8.</span> </li> <li id="cite_note-16"><span class="mw-cite-backlink">[[#cite_ref-16|↑]]</span> <span class="reference-text">Eda G, Fanchini G, Chhowalla M (2008). "Large-area ultrathin films of reduced graphene oxide as a transparent and flexible electronic material". Nat Nanotechnol 3 (5): 270–4</span> </li> <li id="cite_note-17"><span class="mw-cite-backlink">[[#cite_ref-17|↑]]</span> <span class="reference-text">Mukhopadhyay, Prithu (2013). Graphite, Graphene and their Polymer Nanocomposites. Boca Raton, Florida: Taylor & Francis Group. pp. 202–213. </span> </li> <li id="cite_note-18"><span class="mw-cite-backlink">[[#cite_ref-18|↑]]</span> <span class="reference-text">Stoller, Meryl D.; Sungjin Park, Yanwu Zhu, Jinho An, and Rodney S. Ruoff (2008). "Graphene-Based Ultracapacitors" (PDF). Nano Lett 8 (10): 3498–502.</span> </li> <li id="cite_note-19"><span class="mw-cite-backlink">[[#cite_ref-19|↑]]</span> <span class="reference-text">Significant thermal conductivity enhancement for nanofluids containing graphene nanosheets Wei Yua, b, Huaqing Xiea, , , Xiaoping Wanga, Xinwei Wangb</span> </li> <li id="cite_note-20"><span class="mw-cite-backlink">[[#cite_ref-20|↑]]</span> <span class="reference-text">Nair, R. R.; Wu, H. A.; Jayaram, P. N.; Grigorieva, I. V.; Geim, A. K. (2012). "Unimpeded permeation of water through helium-leak-tight graphene-based membranes". Science 335 (6067): 442–4.</span> </li> <li id="cite_note-21"><span class="mw-cite-backlink">[[#cite_ref-21|↑]]</span> <span class="reference-text">Waugh, Rob. "Hi-tech 'wonder material' graphene has an unexpected use – it can distill vodka at room temperature"</span> </li> </ol>

Välislingid[muuda | redigeeri lähteteksti]